MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜

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刘斌;张荣;谢自力;张禹;李亮;张曾;刘启佳;姚劲;周建军;姬小利;修向前;江若琏;韩平;郑有蚪;龚海梅

【期刊名称】《激光与红外》【年(卷),期】2007(037)B09

【摘要】本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统（MOCVD）生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜（0．13〈x〈0．8）。扫面电子显微镜（SEM）照片表明生长的AlN插入层有效地调节了AlGaN层与GaN支撑层的应力，使AlGaN表面平整无裂纹，原子力显微镜（AFM）测量得到所有AlGaN薄膜粗糙度均小于1nm。通过原位干涉谱发现，AlGaN薄膜生长速率主要由Ga流量大小控制，随Al组分升高逐渐降低。利用X射线衍射和卢瑟福背散射（RBS）两种方法确定AlGaN薄膜的Al组分，发现Al组分与摩尔比TMAl／（TMGa＋TMAl）关系为线性，说明在优化的生长条件下，Al原子与NH3的寄生反应得到了有效的抑制。

【总页数】4页(P.964-966,970)

【关键词】金属有机物化学汽相淀积;AlGaN;薄膜生长

【作者】刘斌;张荣;谢自力;张禹;李亮;张曾;刘启佳;姚劲;周建军;姬小利;修向前;江若琏;韩平;郑有蚪;龚海梅

【作者单位】江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏南京210093;北京科技大学物理系,北京100083;中国科学院上海技术物理研究所,上海200083 【正文语种】英文【中图分类】TN23

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