一、实现的功能
1．实现对STM32Fxxx的片内FLASH的擦除和烧写，并读出后进行检验。 2．用串口打印出检验FLASH内容是否正确的变量值。 二、实验操作及现象
1．双击FLASH.eww打开工程文件，然后进行编译。
2．用Flash Loader将程序下载到ARM内，或者利用JLINK等仿真器进行仿真。 3．在程序运行前，用串口线将开发板的串口1和PC机的串口1连接，并打开“串 口调试助手”，设置波特率为115200，将会看到每0.5秒显示一次“Flash Status=1”， 则说明FLASH操作成功，否则说明FLASH操作失败。 三、片内FLASH学习
大家可能会疑惑，既然我们可以利用工具将代码下载芯片内部，为什么还要讲解Flash编程呢？目的是让大家掌握后可以编写自己的BootLoader，例如用CAN总线接口来更新产品中的升级代码，不需要将产品拆卸即可完成。另外一个很重要的问题就是我们要保护好自己编写的代码，否则被破_解后，就成别人的产品了。
1．解除Flash锁
复位后，闪存擦写控制器模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器， 通过写入两个关键字(KEY1，KEY2)到FLASH_KEYR寄存器打开闪存擦写控
制器，才可以进行其他闪存操作。其中KEY1为0x45670123，KEY2为0xCDEF89AB。 编程如下：
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1; FLASH->KEYR = FLASH_KEY2; 2．页擦除
在FLASH操作中，每次擦除只能擦除一页，不能一个字节一个字节的擦除，其实所谓的擦出就是将指定的页全部填写成0XFF，下面是页擦除的过程：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作； -用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页； -设置FLASH_CR寄存器的PER位为1； -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1； -等待BSY位变为0； -读出被擦除的页并做验证。 编程如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位) status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行页擦除操作 {
FLASH->CR|= CR_PER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PER位为1 FLASH->AR = Page_Address;//用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页 FLASH->CR|= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
//等待擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0 {
//如果擦除操作完成，禁止CR的PER位 FLASH->CR &= CR_PER_Reset; } }
3. 全部擦除
全部擦除就是将全部FLASH都填写成0xFF，其过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作； -设置FLASH_CR寄存器的MER位为1； -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1； -等待BSY位变为0； -读出所有页并做验证。 编程如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位) status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH出于可以操作状态，开始进行全部页擦除操作 {
FLASH->CR |= CR_MER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的MER位为1 FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
//等待全部页擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0 {
//如果擦除操作完成，禁止CR的PER位 FLASH->CR &= CR_MER_Reset; } } 4. 编程
编程就是将数据写入指定的FLASH地址，STM32的FLASH每次编程都是16位（在32位系统中，我们叫做半字），过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作； -设置FLASH_CR寄存器的PG位为1； -写入要编程的半字到指定的地址； -等待BSY位变为0；
-读出写入的地址并验证数据。 编程如下：
//检查参数是否正确
assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位) status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作 {
FLASH->CR |= CR_PG_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PG位为1
*(vu16*)Address = Data;//写入要编程的半字到指定的地址 //等待半字编程操作完毕(等待BSY位变为0)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status != FLASH_BUSY) {
//如果半字编程完毕，禁止PG位 FLASH->CR &= CR_PG_Reset; } }
5. 信息块擦除
信息块的擦除主要是指对选择字节的擦除，选择字节组织如下：
(原文件名:option.JPG)
引用图片
RDP：读出保护选择字节
读出保护功能帮助用户保护存在闪存中的软件。该功能由设置信息块中的一个选择字节启用。写入正确的数值(RDPRT键=0x00A5)到这个选择字节后，闪存被开放允许读出访问。 USER：用户选择字节 这个字节用于配置下列功能： ? 选择看门狗事件：硬件或软件 ? 进入停机(STOP)模式时的复位事件 ? 进入待机模式时的复位事件 Data：用户数据，可由用户自己分配 WRPx：闪存写保护选择字节
用户选择字节WRPx中的每个位用于保护主存储器中4页的内容，每页为1K字节。总共有4个用户选择字节用于保护所有128K主闪存。 其擦除的过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
-解除FLASH_CR寄存器的OPTWRE位； -设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1； -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1； -等待BSY位变为0； -读出小信息块并做验证。 编程过程如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位) status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进选择字节擦除操作 {
//解锁 CR寄存器中的OPTWRE位
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;//输入选择字节键1 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;//输入选择字节键2
FLASH->CR |= CR_OPTER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1 FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
//等待选择字节擦除操作完毕(等待BSY位变为0) status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果选择字节擦除操作完毕 {
//如果擦除操作完毕，禁止OPTER位 FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset;
//使能选择字节编程操作 FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;
//使能读出访问
OB->RDP= RDP_Key; //选择字节擦除同时需要开放代码读出
//等待前次操作完毕
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status != FLASH_BUSY)//如果前次操作结束 {
//如果编程操作完毕，禁止OPTPG位 FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset; } }
6. 选择字节编程
选择字节的编程就是向上面讲到的选择字节里面写入指定的数据，其过程如下： -检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
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