天津工业大学
毕业实践实习报告
N沟道MOS管工艺模拟与器件模拟
班 级： 电科1103 学 号： 1110940316 姓 名： 汪兆明 成 绩：
2015年4月1日
一、实践目的
熟练氧化、离子注入与扩散工艺，使用Silvaco软件进行模拟，掌握CMOS工艺流程。学会用Silvaco软件提取MOS晶体管的各种参数，掌握用SILVACO工具对MOS晶体管进行器件模拟 二、实践要求
1、用Anthena构建一个NMOS管，要求沟道长度不小于0.8微米，阈值电压在-0.5v 至 1V之间。
2、工艺模拟过程要求提取S/D结结深、阈值电压、沟道表面掺杂浓度、S/D区薄层电阻等参数。
3、进行器件模拟，要求得到NMOS输出特性曲线族以及特定漏极电压下的转移特性曲线，并从中提取MOS管的阈值电压和?值。 4、分析各关键工艺步骤对器件性能的影响。 三、操作步骤
1、启动silvaco软件。
2、创建一个网格并定义衬底的参数。
3、由于本实验运用了cmos工艺，所以先在衬底上做一个p阱，严格定义p阱的浓度，注入能量，以及阱区的推进。 4、生长栅氧化层，严格控制各参数。
diffus time=10 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3 5、淀积多晶硅，其厚度为0.2um。
6、刻蚀掉x=0.35左面的多晶硅，然后低剂量注入磷离子，形成轻掺杂层，剂量为3e13，能量为20kev。
7、淀积氧化层，然后再进行刻蚀，以进行下一步的源漏区注入。 8、进行源漏砷离子的注入，剂量为4e15，能量为40kev。 9、淀积铝，形成S/D金属接触。
10、进行向右镜像操作，形成完整的nmos结构并定义电极。
11、抽取源漏结深，阈值电压，n+区薄层电阻，沟道表面掺杂浓度，轻掺杂源漏区的薄层电阻等参数。
12、描述输出特性曲线并绘出。
13、描述转移特性曲线并绘出，同时从中提取MOS管的阈值电压和?值。 四．测试结果
4.1 测试结果分析 4.1.1.工艺图
4.1.2.获取器件参数
在这一部分，我们将提取这半个NMOS结构的一些器件参数,这些参数包括： a.结深
b.N++源漏方块电阻 c.边墙下LDD区的方块电阻 d.长沟阈值电压计算结深 计算结深的语句如下：
extract name=\
获取N++源/漏极薄层电阻
extract name=\
mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1
测量沟道阈值电压
extract name=\在这条extract语句中，1dvt指测量一维阈值电压；ntype指器件类型；x.val=0.49为器件沟道内一点；qss=1e10指浓度为1e10cm-3的表面态电荷；vb=0.0栅极偏置0V。
沟道表面掺杂浓度
extract name=\material=\
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