4. 淀积多晶硅栅
在NMOS工艺中，多晶硅的厚度约为0.22um。 语句如下：
depo poly thick=0.22 divi=10 这里需要10个网络层来仿真杂质在
多晶硅层中的传输。
5 多晶硅栅定义
在NMOS工艺中，多晶硅的厚度约为0.22um。 语句如下：
depo poly thick=0.22 divi=10 这里需要10个网络层来仿真杂质在
多晶硅层中的传输。
6多晶氧化
接下来定义多晶硅的栅极，将多晶硅栅极网格边缘定义为x=0.35um，中心网格定义为0.8um。对多晶硅从左边x=0.35um开始刻蚀。
etch poly left p1.x=0.35 刻蚀后的图形如下图：
7 多晶掺杂
在定义好多晶栅后，接下来的步骤是多晶注入前的多晶氧化多晶氧化。 氧化条件是3分钟，900度，1个大气压下的湿法氧化。
fermi模型通常用于没有损伤的衬底，并且掺杂浓度小于1x1020cm-3。 由于氧化是在一个图形化（即非平面）以及没有损伤的多晶上进行的，所以使用的模型将会是fermi以及compress，而compress模型用于模拟非等平面结构和2维的氧化工艺。
语句为：diffuse time=3 temp=900 weto2 press=1.0
8 侧离氧化层淀积
在源极和漏极植入之前，需要进行侧墙隔离氧化层的淀积。淀积的厚度为0.12um。
depo oxide thick=0.120 divisions=8
9 侧墙氧化隔离的形成
为了形成氧化隔离，必须进行干刻蚀。刻蚀厚度为0.12um。 语句如下：
etch oxide dry thick=0.120
10 源/漏极注入和退火
现在，我们来通过注入砷进行源漏的注入，这会形成晶体管的n+源漏。 源漏注入砷注入的剂量使用：3x1015cm-3，注入能量为：50KeV. implant arsenic dose=5.0e15 energy=50 pearson 源漏注入后接下来将是快速退火工艺，条件是： 氮气气氛，1分钟，900度，1个大气压 method fermi compress
diffuse time=1 temp=900 nitro press=1.0
11 金属化
在形成源漏区域以后，下个工艺步骤是金属化这个区域金属化。金属化工艺步骤是首先在源漏区域形成接触孔窗口。
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