IN?I1?I2?I3?(44?0?22??120?11?120)A ?[44?(?11?j19)?(?5.5?j9.5)]A ?(27.5?j95)A ?29??19A
（2）P=Up1Ip1+ Up2Ip2+ Up3Ip3+=220×44+220×22+220×
11=16.94kw
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第7章
1、半导体中的载流子：自由电子和空穴。
N型半导体的多数载流子：自由电子 P型半导体的多数载流子:空穴
2、PN结的特点：单向导电性，正向导通 向截止
3、稳压二极管工作在反向击穿区 4、三极管的结构
结构特点：（三层两结）集电区：搀杂浓度较低,集电极尺寸较大C基区：最薄，集电结N掺杂浓度最低基极BPN发射结E发射区：掺发射极杂浓度最高 反18
5、三极管的工作状态：
（1） 放大状态：晶体管相当与通路 条件：发射结正偏、集电结反偏 （2） 饱和状态：晶体管相当与短路 条件：发射结正偏、集电结正偏 （3）截止状态：晶体管相当与开路 条件：发射结反偏、集电结反偏
6、三极管输出特性：分为放大区、饱和区、截
止区
例7.1.1半导体二极管的理想特性是：外加_正向电压时导通，外加反向电压时截止。 7.1.2晶体管工作在 饱和 状态下相当于短路，在 截止 状态下相当于开路。
例7.2图7-1示电路中，稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为10V，正向压降均
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为0.7V，图中输出电压Uo为（ C ）。 (A)18V (B)10.7V (C)8.7V (D) 2V
图7-1
例7.3一个NPN型晶体三极管，三个极的电位分别为UC?8V，UE?3V，UB?3.7V，则该晶体三极管工作在（ C ）。
(A)截止区 (B)饱和区 (C)放大区 (D)击穿区
例7.4如图电路中，E?5V,Ui?10sin?tV，二极管
的正向压降忽略不计，试分别画出输出电压UO的波形。
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