第一章 半导体器件特性
Ri和R0
解:(1) IBQ?UCC?UBE15?0.7??28(?A)
RB?(1?hfe)?RE250?(1?60)*5.1 ICQ?IBQ?hfe?28*50?1400(?A)?1.4mA UCEQ?UCC?ICQ?RE?15?1.4*5.1?7.86(V) (2)h参数等效电路
?hie?300?(1?50)26mV1.247(k?)1.4mA
2-9电路如图示,
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电容的容抗均可忽略
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(1)
画出简化的h参数等效电路,计算Au1??UU01Au2?02和R01,,
UiUi??R02
(2) 当RC?RE时,两个转出电压U01,U02在振幅和相位上有何关系?
解:(1)h参数等效电路
Au1????hfe?ib?RChfeRCU01 ????Uihie?(1?hfe)?REib??hie?(1?hfe)RE??(1?hfe)REhie?(1?hfe)RE
?Au2?R01?RC
R02?Rb??hie//RE hfe(2)当RC?RE时,U01,U02幅度基本相等,相位相差180?
2-10电路如图,已知hfe=50,电容的容抗均可忽略
(1)计算静态工作点
(2)画出简化的h参数等效电路,计
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第一章 半导体器件特性
算Au,Ri和R0
?15*47?解:(1)UB???4.8(V)
RB1?RB2100?47 IEQ?UB?UBE4.8?0.7???2.4(mA)?ICQ RE1?RE20.2?1.5VCC?RB2 IBQ?ICQhfe2.4???48(?A) 50
(2)h参数等效电路
hie?300?(1?50)*2.6mV?852.5(?)
2.4mA
Ri?RB1//RB2(hie?(1?hfe)?RG1)?47//100//11.05?8.21(??)Ro?Rc?3??2-11集电极-基极偏置放大电路如图示。 T为硅管。hfe?100
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(1)计算静态工作点。
(2)如果要求VCE?6.5?的值应为多大? (3)画出简化为h参数等效电路,并用密 勒定理作进一步简化。
(4)推导Av,Ri,RO的表达式,并算出它的数值。
解:
(3)h参数等效电路,并密勒定理简化。
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第一章 半导体器件特性
密勒定理指出:具有N个独立接点的任意网络,如图,N为参数接点,若接点1、
?(K?2间接有阻抗E'。并已知节点电压V1和V2之比K与N之间接Z1??V2?),断开阻抗E'在节点1V1Z?Z?K,节点2与N之间接Z2?,新网络与原网络等效。 1?KK?1?密勒定理简化后:其中E1??URB?u ? K?O?A??1?KU1??RBKU?u E2? K?O?A?K?1U1(4)
Au?hfe?RL'UO?hfeib?Z2//RC???Uiib?hie//Z1hie'其中RL'?Z2//RChie'?hie//Z1RC?RBAuRBAuRC?RBAuAu?1?Au?1RL'??RAuRCAu?RC?RBAu?RC?RB?Au?RCRC?BAu?1Au?1hieRBRBhiehieRB1?Au?1?Auhie'??RB?hieAu?hie?RBhie?RB?hieAuhie?1?Au1?AuRC?代入Au式及:hfe?Au??RC?RBAu?RC?RB?Au?RC??hRCRBAuhie?RB?hieAu?fehieRBhie?RB?RC?RB?Au?RChie?RB?hieAu??hfeRCRBAu??hie?RB?hieAu????RC?RB?Au?RC???hie?RB- 20 -
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