表1．4 硅与镓砷常用之浸蚀液
表１.5 绝缘层与导电层常用之侵蚀液
材料 ＳiO2 侵蚀液组成 ２8mlHF 蚀刻液 1000A/min 170ｍlH2O HF缓冲溶液 113g NH4F 15ｍｌ ＨF 10ml HＮＯ3 P－蚀刻 ３００ｍl H２O 120 A/min ＳiＮ4 HF缓冲溶液 H３ＰO４ 5 A/min 100 A/ｍｉn 350 A/ｍiｎ Ａｌ 1ｍｌHＮO3 4mｌCH３COＯH 4 mｌH3ＰO4 1ｍlH２O Aｕ 4g ＫＩ 1g Ｉ2 4０mｌH2Ｏ 1μm/min Mｏ ５mｌ Ｈ3ＰO4 2ml ＨＮO3 4ｍl CH3COOH 150mlH２Ｏ ０.5μm/min Pt １ml HNＯ3 7mｌＨCl 8mｌＨ２O 50０ A/min W 34ｇ KH2PO４ 13.4g ＫＯH 33g K3Ｆe(CN)６ 加入H2O至1公升 １60０ Ａ/ｍｉｎ
干法蚀刻（电浆蚀刻)乃利用低压放电将气体电离成电浆，所以电浆含全部或部分电离之气体，其中有离子、电子及中子。表1．6列出两种气体蚀刻系统溅蚀刻制射程及平行台电浆蚀刻所使用之气体。
表1.6 溅射蚀刻制程及平行台电浆蚀刻使用之气体
溅射蚀刻制程 平行台电浆蚀刻 加,Ｎｅ CＣI< + CI@ＣF< + H@BＣｌ3 + ＣI@ＣCI< + ０@SF@ + Cl， 1.3.4 晶圆切割
将芯片排列组合,做成集成电路,利用闸区化切割机或钻石刀及雷射枪来替代切割机切割晶圆，形成ＩＣ薄片，如图1.4所示
图１.4 晶圆成品之切割程序
连线打着
利用金属线连接ＩC芯片与基板,如图1．5所示。
塑封
为保护已连线的IC，将IＣ芯片封入环氧树脂封套内。此种程序在压模机中完成,操作温度为180～200。Ｃ,如图1．６所示。 去筋打弯
将整片连线打着完成之半产品自金属线切开(即去筋),并将基板两侧漏出之金属线打弯成直角，如图１.7所示。
图1.５ ＩC芯片连线打着程序
图1.６ IC芯片树脂套封程序
图1.7 IC芯片去今打弯程序
导线电镀
在电镀槽中将露在外面的导线，镀上一层铜使之易于导电。此制程视产品品 质决定需要否 浸锡与清洗
将导线浸锡以利焊接，并以有机溶剂、混酸清洗去除残余油脂，提高IC质量。
测试与包装
检查IＣ芯片之电性,最后将合格之ＩC包装完成。
ＩC制程实例
半导体业集成电路制造过程十分复杂,且随着产品之不同制程亦跟着改变。以下则举一基本实例并配合图形说明整个制程。半导体元件成品如图1.8所示。
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