PCV
與PECV異說明
技術差
LDD
目錄
第一章、化學氣相沉積法的基本原理 (CVD) ................. 3
1.1 化學氣相沉積的原理 ....................................................................... 3 1.2 薄膜沉積原理 ................................................................................. 4
第二章、什麼是PECVD ............................................................ 7
2.1 電漿形成的基本原理 ....................................................................... 7 2.2 電漿激發式化學氣相沉積 .............................................................. 7 2.3 PECVD設備類型 ............................................................................. 9
第三章、什麼是LPCVD .......................................................... 11
3.1 低壓化學氣相沉積(LPCVD) ............................................................. 11 3.2 LPCVD設備類型 ............................................................................. 12
4、比較表 .................................................................................... 14
5、結論 ......................................................................................... 14
6、參考文件 ............................................................................... 16
第一章、化學氣相沉積法的基本原理(CVD)
化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD），就是經由化學反應的方式，在反應器內，將反應物（通常為氣體）生成固態的沉積物，沉積於基板表面的一種薄膜沉積技術。因為這種薄膜沉積方式涉及化學反應，故稱為化學氣相沉積。
1.1 化學氣相沉積的原理
首先，參與反應的反應氣體，將從反應器的主氣流裏，藉由反應氣體在主氣流及基板表面間的濃度差，以擴散的方式，經過邊界層，傳遞到基板的表面。這些到達晶片表面的反應氣體分子，有一部份將被吸附在晶片表面上。當參與反應的反應物在表面相遇後，藉由基板表面所提供的能量，沉積反應的動作將發生，這包括前面所提到的化學反應，及產生的生成物在晶面表面的運動和生成物的沉積等。當沉積反應完成後，反應的副產物及部份未參與反應的反應氣體，將從晶體表面上進入邊界層，最後進入主氣流裏，這些未參與反應的反應氣體與及生成物，將被抽氣裝置或真空系統所抽離。因此化學氣相沉積反應的反應
物及生成物，都必須經由主氣流和基板表面間的邊界層來傳遞。若以CVD 的操作壓力來區分它，可以分為常壓和低壓兩種。若以CVD 反應器的溫度控制來評斷，也可分為熱壁式與冷壁式兩種。若考慮CVD 的能量來源及所使用的反應氣體種類，我們也可以將CVD反應器進一步劃分為PECVD和LPCVD。
1.2 薄膜沉積原理[3]
晶片上的薄膜之所以能夠生成，主要是散佈於晶片表面上的氣 體分子或其他粒子，如原子團和離子等，經由化學反應而產生出固 態的粒子，然後沉積於基板表面﹔或是，因表面擴散運動而失去部 分動能的粒子，被晶片表面所吸附，進而沉積。這些粒子主要藉由 擴散，或是強迫性對流，而傳送到晶片表面。
薄膜的沉積，主要可分為下列幾個步驟，如下圖 所示：
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