实验。
四、实验内容:
1、要完成存储器容量扩展的教学实验,需要为扩展存储器选择一个地址,并注意读写和OE等控制信号的正确状态。
2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写,比较RAM(6116)、EEPROM(28系列芯片)、EPROM(27系列芯片)在读写上的异同。
3、用监控程序的A命令编写一段程序,对RAM(6116)进行读写,用D命令查看结果是否正确。
4、用监控程序的A命令编写一段程序,对扩展存储器EEPROM(28系列芯片)进行读写,用D命令查看结果是否正确;如不正确,分析原因,改写程序,重新运行。
五、实验步骤:
1、RAM中的内容在断电后会消失,重新启动实验机后会发现内存单元的值发生了改变。
(1)用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
断电重启后:
(2)用A命令输入一段程序,执行并观察结果。
2、EEPROM的内容断电后可保存,重新启动会发现内存单元的值没有发生改变。
(1)用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
断电重启后:
(2)在5000H~500FH单元中依次写入数据0000H、0001H、…000FH。
思考:将延时改短,将程序中的R3的内容赋成00FF,再看运行结果。
六、实验心得:
通过本次实验,虽然对ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法和差异之处有了一定的了解,但对于我来说,在一些问题上还是没有办法解决;学习了用编程EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。能用E命令直接写AT28C64B的存储单元,而不用A命令,修改延时子程序,将其延时改短,可将延时子程序中的R3的内容赋成00FF或0FFF等,再看运行结果时,发现因为当写入双字节指令的低位时会出错,这也是不能用A命令而只能用E命令去写存储单元的原因。
在编程时,对于给的问题能产生深刻的思考,进一步了解了实验的目的,通
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