第一范文网 - 专业文章范例文档资料分享平台

HSPICE与CADENCE仿真规范与实例(3)分析

来源:用户分享 时间:2025/5/15 8:55:50 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全,需要完整文档或者需要复制内容,请下载word后使用。下载word有问题请添加微信号:xxxxxxx或QQ:xxxxxx 处理(尽可能给您提供完整文档),感谢您的支持与谅解。

电路模拟实验专题

实验文档

一、简介

本实验专题基于SPICE(Simulation Program With Integrated Circuit)仿真模拟,讲授电路模拟的方法和spice仿真工具的使用。

SPICE仿真器有很多版本,比如商用的PSPICE、HSPICE、SPECTRE、ELDO,免费版本的WinSPICE,Spice OPUS等等,其中HSPICE和SPECTRE功能更为强大,在集成电路设计中使用得更为广泛。因此本实验专题以HSPICE和SPECTRE作为主要的仿真工具,进行电路模拟方法和技巧的训练。

参加本实验专题的人员应具备集成电路设计基础、器件模型等相关知识。

二、Spice基本知识 (2)

无论哪种spice仿真器,使用的spice语法或语句是一致的或相似的,差别只是在于形式上的不同而已,基本的原理和框架是一致的。因此这里简单介绍一下spice的基本框架,详细的spice语法可参照相关的spice教材或相应仿真器的说明文档。

首先看一个简单的例子,采用spice模拟MOS管的输出特性,对一个NMOS管进行输入输出特性直流扫描。VGS从1V变化到3V,步长为0.5V;VDS从0V变化到5V,步长为0.2V;输出以VGS为参量、ID与VDS之间关系波形图。

*Output Characteristics for NMOS M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u

VGS 1 0 1.0 VDS 2 0 5 .op

.dc vds 0 5 .2 Vgs 1 3 0.5 .plot dc -I(vds) .probe

*model

.MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U +LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7 .end

描述的仿真电路如下图,

图2-1 MOS管输入输入特性仿真电路图

得到的仿真波形图如下图。

从这个简单的spice程序中可以知道spice电路描述的主要组成部分。 (1) 标题和电路结束语句

在输入的电路描述语句中输入的第一条语句必须是标题语句,最后一条必须是结束语句。在本例中,

*Output Characteristics for NMOS … … …. … .end

(2) 电路描述语句

电路描述语句描述电路的组成和连接关系,包括元器件、激励源、器件模型等描述,另外,如果电路是层次化的,即包含子电路,电路描述部分还包括子电路描述(.subckt)。

在描述元器件时,要根据类型,采用不同的关键字作为元件名的第一个字母,元器件关键字见下表。如本例中,NMOS管的描述为:

M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u

←标题

←结束语句

表示的意思为:

元器件关键字x D G S B 模型名 宽=xx 长=xx

其中D:漏结点;G:栅结点;S:源结点;B:衬底结点。

器件模型描述电路中所使用的器件的spice模型参数,语句为.model。如在本例中,

.MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U +LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7

其中MNMOS为模型名,以便在元器件调用时使用,NMOS为模型的关键字。

元器件类型 电阻 电容 电感 二极管 NPN或PNP双极型晶体管 N沟或P沟结型场效应晶体管 N型或P型MOS场效应晶体管 GaAs场效应晶体管 电压控制开关 电流控制开关 互感 元器件关键字 R C L D Q J M B S W K 激励源说明供激励用的独立源和受控源,比如:V: 独立电压源; I: 独立电流源;E: 电压控制电压源; F: 电流控制电流源;G: 电压控制电流源; H: 电流控制电压源,等等。

(3) 分析类型描述语句

分析类型描述语句说明对电路进行何种分析。比如,直流工作点(.op),直流扫描分析(.dc),交流分析(.ac),噪声分析(.noise),瞬态分析(.tran)等等。 (4) 控制选项描述语句

控制选项用于描述spice仿真时的相关控制选项,一般在.option内进行设置,另外还有打印及输出控制选项(.print、.plot、.probe)等等

现将整个spice程序例子标注如下:

*Output Characteristics for NMOS M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u VGS 1 0 1.0 VDS 2 0 5 .op

←标题 ←元器件描述

(模型名为MNMOS的场效应MOS管M1, 漏结点2、栅结点1、源结点0、衬底结点0, 栅宽5um,栅长1um) ←激励源描述

(连接在1和0结点之间的1V独立电压源) ←激励源描述

(连接在2和0结点之间的5V独立电压源)

←分析类型描述,直流工作点分析

搜索更多关于: HSPICE与CADENCE仿真规范与实例(3)分析 的文档
HSPICE与CADENCE仿真规范与实例(3)分析.doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印
本文链接:https://www.diyifanwen.net/c416ih3qhg11is530855j3blzb1bw3200hkz_1.html(转载请注明文章来源)
热门推荐
Copyright © 2012-2023 第一范文网 版权所有 免责声明 | 联系我们
声明 :本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。
客服QQ:xxxxxx 邮箱:xxxxxx@qq.com
渝ICP备2023013149号
Top