可控硅元件的工作原理及基本特性

可控硅元件的工作原理及基本特性

1、工作原理

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个

PN结，分析原理时，可以把它看作由一个

1所示

PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图

图1可控硅等效图解图

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极

G输入一个

正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流 ic2= 3 2ib2因为BG2的集电 极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流 ic1= 3 1ib1= 3 1 32这个电流又流回到 BG2的基极，表成正反馈，使

环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，

所以一旦可控硅导通后，

即使控制极G的电流消失了，

ib2不断增大，如此正向馈循

可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不 可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才 能转化，此条件见表 1

表1可控硅导通和关断条件 状态 从关断到导通 条件 说明 两者缺一不可 1、 阳极电位咼于是阴极电位 2、 控制极有足够的正向电压和电流 维持导通 1、 阳极电位咼于阴极电位 2、 阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关断

1、 阳极电位低于阴极电位 2、 阳极电流小于维持电流 任一条件即可 2、基本伏安特性

可控硅的基本伏安特性见图

2

图2可控硅基本伏安特性

(1 )反向特性

当控制极开路，阳极加上反向电压时(见图

3), J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很

小的反向饱和电流，当电压进一步提高到 J1结的雪崩击穿电压后，接差 J3结

加，图3的特性开始弯曲，如特性 硅也击穿，电流迅速增 会发生永久性反向击穿。

OR段所示，弯曲处的电压 URO叫 反向转折电压”。此时，可控

图3阳极加反向电压

（2 ）正向特性

当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图

4）, J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通 PN

3的特性发生了弯

结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图 曲，如特性OA段所示，弯曲处的是 UBO叫：正向转折电压

图4阳极加正向电压

由于电压升高到 J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应， 在结区产生大量的电子和空 穴，电子时入

N1 区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合， 同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入

与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在

N1区的电子

N1区就有电子积累，在 P2区就有空穴积累，

结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降， 出现所谓负阻特性，见图

3的虚线AB段。

---通态，此时，它的特性与普

这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态 通的PN结正向特性相似，见图 2中的BC段

3、触发导通

在控制极 G上加入正向电压时（见图 5）因J3正偏，P2区的空穴时入 N2区，N2区的电子进 入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图 2）的基础上，加上IGT的作用， 使可控硅提前导通，导致图 3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

图5阳极和控制极均加正向电压 可控硅元件一可控硅元件的结构

一种以硅单晶为基本材料的 P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空

T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面

死硅”更为可贵的

闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管 所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅

SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称 可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加， 允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在 微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 可控硅元件的结构

不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由 P型硅和N型硅组成的四层 P1N1P2N2结构。见图 1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引 出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。

图1、可控硅结构示意图和符号图 如何鉴别可控硅的三个极

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据 阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几 百千欧以上(它们之间有两个

P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电

P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通) 。

控制极与阴极之间是一个 P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正 向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的 电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控 制极正反向电阻时，万用表应放在 挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极 与阴极断路，说明元件已损坏 可控硅知识的问与答 一、可控硅的概念和结构？

晶闸管又叫可控硅。自从 20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员 有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天 大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个

R*10或R*1

PN结，对外有三个电极〔图 2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极

出的电极叫控制极 G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极

A，第三层P型半导体引

K。从晶闸管的电路符号〔图 2(b)〕可

G,这就使它具有与二

以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极 极管完全不同的工作特性。

图2

、晶闸管的主要工作特性

为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板

(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL

串联起来，通过开关 S接在直流电源上。注意阳极 A是接电源的正极，阴极 K接电源的负极，控制 极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极（这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接 在1.5V直流电源的正极）。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极 和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源

开关 S,小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再

按一下按钮开关 SB,给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验 给了我们什么启发呢？

③ 图3

这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极 态。

晶闸管的特点：

是一触即发”但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导

A与阴极K之间外加正向电压，二是在

它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。 晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压， 仍然维持导通状

通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，去卩不能使它关断。那么，用什么方法才 能使导通的晶闸管关断呢 ？使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源 电压过零时，晶闸管会自行关断。

（图3中的开关S）或使阳极电流

小于维持导通的最小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电 压，那么，在

三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗

普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡 一个PN结〔图2（a）〕，相当于一个二极管，

？怎样测试晶闸管的好坏呢 ？

RX100挡位来测。大家知道，晶闸管 G、K之间是 G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，

G,红表笔

（图

找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极

接的是阴极K，剩下的一个就是阳极 A 了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路

3）。接通电源开关 S,按一下按钮开关 SB,灯泡发光就是好的，不发光就是坏的

四、 晶闸管在电路中的主要用途是什么

？

普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如 果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路

〔图4（a）〕。在正弦交流电压 U2的正半周期间，如果 VS的控制极没有输入触发脉冲 不能导通，只有在 U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲

Ug，VS仍然

Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出 Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。

UL（阴影部分的面

U2的每个正半

180°称为电角度。这样，在

它的波形图〔图4（c）及（d）〕，可以看到，只有在触发脉冲 Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出（波 形图上阴影部分）。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早； 通过改变控制极上触发脉冲

Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值

积大小）。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为

周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角

a；在每个正半周内晶闸管导通的

UL，实现了可控整流。

？

电角度叫导通角 B。很明显，a和B都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范 围的。通过改变控制角

a或导通角0,改变负载上脉冲直流电压的平均值

五、 在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢

在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出 电路图和波形图（图5），就能看明白了。

六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢 ？

晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极 管触发电路、禾U用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。今天大家制作的调压器，采用的是单 结晶体管触发电路。

七、什么是单结晶体管 ？它有什么特殊性能呢？

单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个

PN结和三个电极构成的半导体器件 (图6)。我们先画

B1和第二

P区引出的电极叫发

出它的结构示意图〔图 7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极 基极B2;硅片的另一侧靠近 B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在

射极E。为了分析方便，可以把 B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻 RBB，称为基区电阻， 并可看作是两个电阻 RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是 RB1的阻值会随发射极电流 IE的 变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极

B2、B1之间加上一个直流电压 UBB，则A点

的电压UA为：若发射极电压UE

VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之 下降，出现了 IE增大UE反而降低的现

象，称为负阻效应。发射极电流

IE继续增加，发射极电压

UE不断下降，当UE下降到谷点电压 UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。

八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢

？

单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它 的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路

(图8)。它是由单结晶体管和 RC充放电电

UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻

RB1急 UV时单结

UBB又开始给电容器 C充电，

RP可以改变振荡周期。

路组成的。合上电源开关 S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压 UC按指 数规律上升。当 UC上升到单结晶体管的峰点电压

剧减小，电容器 C通过PN结向电阻R1迅速放电，使 R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭 的脉冲前沿〔图

8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压

晶体管截止。这样，在 R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源 进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节

九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲 的时刻都相同，也就是控制角

a和导通角B都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流

？

可控”必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发

电源准确地配合以实现有效的控制呢

为了实现整流电路输出电压

出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。

怎样才能做到同步呢？大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器 的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器 C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压 UP时，单结晶体管 VT导通，在VS导通期间，负 载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的 VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当 交流电压过零瞬间，晶闸管

VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器 C充电，重复以上过

程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于

RP的阻值和C的电容量。调节 RP的阻值，就可以改变电容器 C的充电时间，也就改变了第一个 Ug发出的时刻，相

应地改变了晶闸管的控制角，使负载 压的目的。

双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。

RL上输出电压的平均值发生变化，达到调