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图1－2
从谐振频率的公式可以看出，电容大小和ESL值的变化都会影响电容器的谐振频率。由于电容在谐振点附近的阻抗最低，所以设计时尽量选用FR和实际工作频率相近的电容。如果工作的频率变化范围很大，则可以混合使用不同容值和FR电容，即同时选择一些FR较小的大电容和FR较大的小电容。 2、PI仿真电容及分布参数的建模： 示。
非理想旁路电容由ESR、C、ESL、引线和过孔等几部分组成，见图1－3所
图1－3
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在高速PCB设计中，我们常用的电容引线方式有以下几种，为定量分析各
种引线方式的影响和建模的需要，我们从正在设计中的单板中提取了用于分析的样板，见图1－4所示。
图1－4
叠层结构为：
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图1－5
常见的电容的引线方式有以下5种，如图1－6所示，其中第5种在焊盘上开孔目前公司的工艺不推荐，在此只作分析，首先，我们分别计算了VCC3.3V到电容管脚的引线和过孔的电感，
图1－6
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得到以下5组数据（单位：亨利）： L001 2.82101E-010 L002 2.70197E-010 L003 8.36196E-010 L004 9.23669E-010 L005 3.65286E-010
为了尽量减小引线电感，在设计中我们可以优先采用第2种引线方式，其中第4种引线方式在传统的PCB设计中广泛采用，由于这种引线方式会带来较大的引线电感，建议在高速PCB设计中尽量不要采用。
接下来，我们对电源/地的回路作进一步分析，提取了第二种引线方式的
SPICE子电路，得到的结果如下：
VCC3.3V到电容PIN1的子电路为： .subckt cap_2_via_vcc 1 2 3 C001 4 3 1.27114E-010 V001 1 5 DC 0 L001 5 6 1.39697E-010 R001 6 4 0.00663062 V002 4 7 DC 0 L002 7 8 1.39697E-010 R002 8 2 0.00663062 .ENDS cap_2_via_vcc
电容PIN2到GND的子电路为： .subckt cap_2_via_gnd 1 2 3 C001 4 3 1.28742E-010 V001 1 5 DC 0 L001 5 6 2.75467E-010 R001 6 4 0.00513052
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