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电源完整性仿真与EMC分析培训讲学

来源:用户分享 时间:2025/5/21 7:40:50 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
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图3-4

图3-4反映了阻抗在高频段逐步走高的趋势,这是一个较难解决的问题,因为以往的加旁路电容的方法在这里不能完全解决这类问题,为此,我们对PCB作了以下的改进工作:

a) 电容Fanout方式的正确选择,详细过程参见图1-7,考虑到公司的

工艺要求与实际PCB的密度,选择了第二种引线方式,同时将过孔孔径从12mil调整到16mil,尽量减小过孔电感。

b) 适当加一些ESR较低的NPO电容,在本板PI分析中,针对图3-4的

Z参数曲线,在IC芯片周围等关键点增加了60个1000pf的NPO电容,NPO和X7R的阻抗曲线比较如图3-5所示(未考虑引线),这两种AVX电容在公司库中均有代码,NPO的ESR值为0.065 ohm;X7R的ESR值为0.261 ohm。

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图3-5

c) 改进VCC1.8V平面层形状与结构;

移开BGA下的走线,在其它信号层的BGA下铺铜,由于该设计的特殊情况,VCC1.8V采用在SIG0与BOTTOM两层的铺铜来实现,不如VCC3.3和VCC2.5那样有完整的平面,因此,增加VCC1.8V与GND之间的平面耦合电容也是解决高频段阻抗问题的主要手段,如图3-6所示。

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图3-6

d) 在VCC1.8V与GND之间的铺铜层加地过孔,使各个BGA下的VCC1.8V

平面层贯通。

经过以上四步对PCB的改进过程,再将改进后的brd文件重新调入仿真,得到改进后的Z参数曲线如图3-7所示。

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图3-7

比较图3-4和图3-7可以看出,高频段Z参数曲线的逐步走高的现象得以解决,剩下的问题是解决高频段部分频率点的谐振问题,图3-7高频段Z参数曲线的放大图如图3-8所示。

图3-8

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