《电子技术基础》期 中 试卷 一、填空题（每空1分，共32分） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分 得分 1、 晶体二极管加一定的 电压时导通，加 电压时 ，这一导电特性成为二极管的 特性。
2.PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“R x 1K \挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。 管 型 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 工作状态 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______
6.Iceo称为三极管的_______电流，它反映三极管的_______，Iceo越_______越好。7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______，将直流电源视为_______。
8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。
二、判断题（每题2分，共14分）
l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。（ ）
2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。（ ）
3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ie值。（ ）
4.共基极三极管电路只能放大电压而不能放大电流。（ ） 5.二极管一旦反向击穿就会损坏。（ ）
6.N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。（ ）
三、选择题（每题2分，共14分）
1.某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管，测得VE=-3V，VCE=6V，VBC=-5.4V，则该管是 ( )
A.PNP型处于放大工作状态 B.PNP型处于截止状态 C.NPN型处于放大工作状态 D.NPN型处于截止状态
2.用下图所示电路测试晶体三极管时，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面哪一种原因？ ( )
A．集电极内部开路
1
姓名班级： ： B. 发射极内部开路 C. C、E级间已击穿 D. 发射结已击穿
3.判断下图所示电路反馈元件Re引进的是 ( )
A．交流电压串联负反馈 B. 交流电流串联负反馈 C. 直流电压串联负反馈 D. 直流电流串联负反馈
4.下图中Rb是反馈元件，引入的反馈类型是 ( )
A．电流并联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流并联正反馈 D. 电压并联正反馈
5.要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用_______。要求放大电路输入电阻小，输出电阻大，可采用_______。 ( ) A.电压串联负反馈 电流并联负反馈 B.电压并联负反馈 电流并联负反馈 C.电压串联负反馈 电流串联负反馈 D.电压并联负反馈 电流串联负反馈 6.单管共射放大器输入正弦电压，用示波器观察到输出波形的正半周被削顶，该放大器的静态工作点设置得 ( )
A.正常 B.偏低 C.偏高 D.无法确定
四、综合题（第一题8分，第二题12分，第三题18分，第四题8分，共40分）
1、分析下图所示电路，试判断二极管导通还是截止？为什么？
2、如下图（a）所示，图中若Vcc=16V，Rc=4KΩ，Rb=400KΩ，试在图（b）上用图解法求静态工作点，并求出电压放大倍数Au。
2
姓名班级： ： 姓3、如下图所示放大电路中，Vcc=12V，Rb1=20KΩ，Rb2=10KΩ，Rc=Re=RL=2KΩ，β=80，
说明工作原理。
VBEQ=0.6V。
（1）画出电路的直流通路和交流通路。
（2）分析当温度下降时，电路稳定工作点过程。
（3）用自己的话阐述该电路中Rb1、Rb2、Re、Ce这几个元件的作用。 （4）计算静态工作点
（5）若rbe=1KΩ，计算电压放大倍数
4. 可调节的简易型恒温器如下图所示，R0为热敏电阻。请补画缺失的电器元件，并
附：参考答案及评分标准
一．1. 正向 反向 截止 单向导电 2. 较小 较大 3. 正 负 4. 电压 栅极 结型 绝缘栅 N
5.（1）NPN （2）NPN（3）PNP（4）PNP （1）截止 （2）放大（3）放大（4）饱和 6. 反向穿透电流 热稳定性 小
7. 电容 容量较大的电容 短路 短路（短接线） 8. 越大 信号电流 越小 带负载能力 二． ×××√× √ 三． CBDBA B 四．1. 二极管反偏截止
2. 画图略 3. （1） 图略
（2） T↓→ICQ↓→IEQ↓→VEQ↓→VBEQ↑→IBQ↑→ICQ↑ （3） Rb1限流，Rb2分压，Re限流，Ce减少信号损耗
（4） VBQ =4V , VEQ =3.4V , ICQ =1.7Ma ，IBQ =21.25μA ，VCEQ =5.2V （5） Au=-80
3
名班级： ：
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