（3）饱和状态：VI不变，继续减小Rb，当VCE＝0.7V时，集电结变为
零偏，称为临界饱和状态，对应E点。此时的集电极电流用ICS表示，基极电流用IBS表示，有:ICSVCCVCC-0.7VVCC
=IBS=≈ICS=
ββRCRCRC
再减小Rb，IB会继续增加，但IC不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞电压条件为：集电结和发射结均正偏
IBS
三种工作状态比较
工作状态条件偏值情况工
集电极电
流作
管压降
截止
放大
饱和
IB≈0
发射结电压＜死区电压
0＜IB＜IBS
发射结正偏集电结反偏
IB＞IBS
发射结正偏集电结正偏
IC≈0VCE≈VCC
IC≈βIB
VCE=VCC?ICRC
IC=ICS=VCC/RC
VCE=VCES=0.3V
特
近似的等效电路
点
C、E间等效电阻
很大
相当开关断开
可变
很小
相当开关闭合
例1.4.1电路及参数如图所示，设输入电压VI=3V，三极管的VBE=0.7V。（1）若β＝60，试判断三极管是否饱和，并求出IC和VO的值。解：根据饱和条件IB＞IBS解题。
3-0.7IB=≈0.023(mA)
100VCC12IBS==≈0.020(mA)
βRC60×10
?IB＞IBS ?三极管饱和。
IC=ICS
VCC12==≈1.2(mA)RC10
VO=VCES≈0.3V
（2）将RC改为6.8kΩ，重复以上计算。
IB不变，仍为0.023mA
IBS
VCC12==≈0.029(mA)βRC60×6.8
?IB＜IBS ?三极管处在放大状态。
IC=β×IB=60×0.023≈1.4(mA)
VO=VCE=VCC-IC×RC=12-1.4×6.8≈2.48(V)
（3）将RC改为6.8kΩ，再将Rb改为60kΩ，重复以上计算。
3-0.7IB=≈0.038(mA)
60
?IB＞IBS ?三极管饱和。
IBS≈0.029mA
IC=ICS
VCC12==≈1.76(mA)RC6.8
VO=VCES≈0.3V
由此可见，Rb、RC、β等参数都能决定三极管是否饱和。
VCCVI
＞饱和条件可写为：
RbβRC
即在VI一定（要保证发射结正偏）和VCC一定的条件下，Rb越小，β越大，RC越大，三极管越容易饱和。在数字电路中总是合理地选择这几个参数，使三极管在导通时为饱和导通。
2．三极管的动态特性
（1）延迟时间td——从vi正跳变的瞬间开始，到iC上升到
0.1ICS所需的时间
（2）上升时间tr——iC从0.1ICS
上升到0.9ICS所需的时间。（3）存储时间ts——从vi下跳变的瞬间开始，到iC下降到
0.9ICS所需的时间。
（4）下降时间tf——C从0.9ICS
下降到0.1ICS所需的时间。
开通时间ton= td +tr关断时间toff= ts +tf
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