nmos和pmos设计

《微电子技术综合实践》设计报告

Experime边框选定OK ，

之后再在MDraw工作框上右键Add →Add Tool →Tools →Dessis →OK，在Add Tool边框上点击确定After Last Tool →Apply →Tools →Inspect →OK。

这样，工作界面Family Tree目录下就有MDraw、Dessis这两个模块了。之后进行保存Project →Save As →输入工作

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名称→OK就可以了，或者也可以直接点击保存的快捷图标进行保存。

3.1.2 建立器件结构模型

利用Mdraw模块建立nMOS和pMOS器件结构模型，包括器件的边界、掺杂、网格的划分。

首先要进行MDraw的绘制器件工作，右键MDraw →Edit Input →Boundary 进入MDraw的绘制器件结构工作区。

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在MDraw绘制过程中，可以徒手绘制，这是默认模式的绘制方式。然而在大多数情况下，需要按照器件尺寸精确绘制，这时可以从Performance Area中点击Exact Coordinates选择精确坐标绘制。接下来要选择器件的制作材料，打开Materials菜单，选择MESFET器件材料Si。

绘制器件结构图时，选择Exact Coordinates，点击Add Rectangle增加矩形框，输入预先设计的各点坐标，设定器件各个结构的尺寸大小。 nMOS器件尺寸：

沟道长度L=3.1um，源漏区长度分别是2.25um 源区left=-3.75,right=-1.5,top=0,bottom=0 漏区left=1.5,right=3.75,top=0,bottom=0

SiO2层left=-2.625,right=2.625,top=-0.04,bottom=0 Poly-Si层left=-2,right=2,top=-0.44,bottom=-0.04 pMOS器件尺寸：

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沟道长度L=2.58um，源漏区长度分别是2.25um 源区left=-3.75,right=-1.5,top=0,bottom=0 漏区left=1.5,right=3.75,top=0,bottom=0

SiO2层left=-2.625,right=2.625,top=-0.04,bottom=0 Poly-Si层left=-2,right=2,top=-0.44,bottom=-0.04

器件结构绘制完成后，需要在源、漏、栅的欧姆金属和Si衬底接触面上添加欧姆接触层。首先Add Contact，命名接触，然后点击Set/Unset Contact在器件表面添加接触。

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