否储存电荷。
4 为保证动态RAM中的内容不消失，需要进行哪一步操作？ 答：由于电容有漏放电现象，为保证RAM中的内容不消失，必须另外设计一种电路，定时（一般为2ms），使电容上泄放的电荷得到补充，即进行内存刷新。 5 存储器片内的地址译码有哪两种方式？
答：存储芯片内的地址译码有全地址译码和独立译码两种。
6 存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来存储哪些东西？ 答：存储器用来存储地址、数据和程序。 7 存储字长和存取周期分别指什么？ 答：存储字长是指存放在一个存储单元中的二进制代码个数。存取周期是指存储器进行连续读写操作所允许的最短时间间隔。 8 和外存相比，内存的特点有哪些？
答：和外存相比，内存的特点是容量小、速度快、成本高。
9 某计算机主存容量为2048KB，这里的2048KB表示多少个字节？
答：2048KB表示2048*1024个Byte，即2（11）*2（10）=2（21）个。 10 某计算机的主存为3KB，则内存地址寄存器需多少位就足够了？ 答：主存为3KB，则地址线有12条，所以内存地址寄存器需12位。 11 若256KB的SRAM具有8条数据线，则它具有多少条地址线? 答：具有18条地址线。
12 计算机的内存可采用ROM、RAM、磁盘中的哪几种？EPROM指的又是什么？ 主存和CPU之间增加高速缓存的目的是什么？采用虚拟存储器的目的是什么？
答：可采用ROM和RAM。EPROM指可编程并可擦除的ROM，兼有ROM和RAM的功能。由于主存储器的存/取时间比CPU慢一个数量级，从而严重影响了微型机的速度，而RAM线路的读写时间可与CPU的处理速度处于同一个数量级，因此在主存储器和CPU之间增加高速缓冲存储器Cache，以提高机器的速度。虚拟存储器的容量比实际物理上主存储器的容量大，软件可根据需要将所需的存储区域调入物理存储器，也可以提高处理速度。
13 某以8088为CPU的微型计算机内存RAM区为00000H~3FFFFH，若采用6264、 62256、2164或21256各需要多少片芯片? 答： 采用6264（8k*8bit）需要32片；采用62256（32k*8bit）需要8片；采用2164 (64k*1bit) 需要32片；采用21256 (256k*1bit)需要8片。
14 利用全地址译码将6264芯片接在8088的系统总线上，其所占地址范围为BE000H~BFFFFH，试画连接图。
解答：采用全地址译码连接图如下： ： ： 8088系统 BUSD0
1011A0D0912A1D1 D7813A2D2715A3D3 A0616A4D4517 A1A5D5418A6D6319 A7D725A824 A12A921A10 23MEMRA112MEMWA12
A1922A18OE6264 27A17WE26 A16+5VCS220A15CS1 A14A1315 试利用6264芯片，在
. . .. . . 图3－14 电路图 8088系统总线上实现00000H~03FFFH的内存区域，试画连接电路图。 解答：采用全地址译码。
8088系统
BUSD0
1011A0D0 912A1D1D7813 A2D2715A3D3A0616 A4D4517A1A5D5 418A6D6319A7D7 25A824A12A9 21A1023 MEMRA112MEMWA12
A1922OE626427 A18WE26+5VCS2 A1720CS1A16
A15
A14图3－14 电路图 A1316 叙述EPROM的编程过程，说明 EEPROM的编程过程。 答： PROM的编程有两种方式，即标准编程和灵巧编程两种方式。标准编程的过程为：使Vcc为+5v ，Vpp加上+21v 。而后，加上要编程的单元地址，数据线加上要写入的数据，使CE保持低电平，OE为高电平。当上述信号稳定后，在PGM端加上50±5ms的负脉冲。这样就将一个字节的数据写到了相应的地址单元中。重复上述过程，即可将要写入的数据逐一写入相应的存储单元中。灵巧编程方式要比标准方式快5倍左右。当加上 Vcc= 5v， Vpp=21v 后，对一个写入地址，用1ms编程脉冲进行编程，接着进行校验，如不成功，再加1 ms编程脉冲。最多可进行15次，若15次仍不能将数据正确写入，则认为芯片本身已损坏。若某一单元用X次1 编程脉冲已正确写入，校验到这种情况后，立即对该单元加入4倍 X的编程覆盖脉冲，则认为该单元编程已完成。重复上述过程，将所有要写入的单元编程。将数据写入EEPROM有两种方式，即字节方式和自动页写入。在对EEPROM编程时，可以在线操作。 17 有2片6116，现欲将它们接到8088系统中去，其地址范围为40000H到40FFFH， 试画连接电路图。利用写入某数据并读出比较，若有错，则在DL中写入01H；若每个单元均对，则在DL写入EEH，试编写此检测程序。 解答：连接电路图见下一页。 18 若用全地址译码将EPROM 115A13AY02142764(128或256)接在首地址为A14BY1313A15CY2A0000H的内存区，试画出电路12Y3MEMR74LS13811图。 Y4A19410E1Y5解答：电路图如下： A1859E2Y6A6717E3Y7 A16 RESET 1011总A0D0912线 A1D1813信A2D2D -D0 7 715 号A3D3616A4D4 A -A5170 12A5D5418 A6D6319A7D7 25A824A9 21A1023 A112A12 28. . .. . . MEMR2022271+5VVcc (+ 5V)CEOEPGMVPPGN2764图3－18电路图
19 第15题中，若8088的时钟频率为5MHz，6264芯片的读写时间均200 ns，试粗 略估计该芯片能否直接使用。
答：8088的时钟频率为5MHZ，则读写时间为200ns，与6264芯片的读写时间相同，若该芯片直接使用，容易出错。
17 连接电路图如下：
8088系统
BUS
D -D890 7 A0D0710A0A1D1611 A2D2513A3D3 414A4D4315A5D5 216A6D6117 A7D723A822 A919A10A10
21MEMWW 20MEMRG611618E
D -D0 7
89 A0A0D0. . .
1．试分别说明下列各指令中源操作数和目的操作数使用的寻址方式：
（１） AND AX，0FFH （２） AND BL，[OFFH] （３） MOV DS，AX （４） CMP [SI]，CX （５） MOV DS：
[0FFH]，CL
（６） SUB [BP][SI]，
AH
（７） ADC AX，
0ABH[BX]
（８） OR DX，
-35[BX][DI]
. . .第四章 指令与寻址方式习题解答
A10MEMWMEMRA117654321232219212018A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10WGED1D2D3D4D5D6D710111314151617 6116123A19A18A17A16A15A14A13A12456ABCE1E2E3Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y715141312111097图3－17电路图 74LS138 （９） PUSH DS （１０） CMC
答： 目的操作数 源操作数
（1）寄存器直接寻址 立即数寻址 （2）寄存器直接寻址 直接寻址
（3）寄存器直接寻址 寄存器直接寻址 （4）寄存器间接寻址 寄存器直接寻址 （5）直接寻址 寄存器直接寻址 （6）基址变址寻址 寄存器直接寻址 （7）寄存器直接寻址 寄存器相对寻址 （8）寄存器直接寻址 基址变址相对寻址 （9）无 寄存器直接寻址 (10)隐含寻址
2．试分别指出下列各指令语句的语法是否有错，如有错，指明是什么错误。
（１） MOV [BX][BP]，AX （２） TEST [BP]，BL （３） ADD SI，ABH （４） AND DH，DL （５） CMP CL，1234H （６） SHR [BX][DI]，3 （７） NOT CX，AX （８） LEA DS，35[SI] （９） INC CX，1 （１０） PUSH 45[DI] 答：（1）应将BP，BX其中之一该为SI或DI （2）正确
（3）ABH改为0ABH （4）
（5）是字操作，CL改为CX （6）移位数大于1时，应用CL （7）NOT指令只有一个操作数
（8）LEA指令的源操作数应为一内存单元地址 （9）此指令不用指出1 （10）45改为45H
3．下面两条指令执行后，标志寄存器中CF，AF，ZF，SF和OF分别是什么状态?
MOV DL，86 ADD DL，0AAH
答： 0101，0110 + 1010，1010 = 1，0000，0000 CF=1 AF=1 ZF=1 SF=1 OF=1
4．在8086/8088CPU中可用于作地址指针的寄存器有哪些? 答：有BX，CX，DX，BP，SI，DI （IP，SP，） 5．已知(DS)＝09lDH，(SS)＝1E4AH，（AX）＝1234H，（BX）=0024H，（CX)＝5678H，（BP）＝0024H，（SI）=0012H，（DI）＝0032H，（09226H）＝00F6H，（09228H）＝1E40H，（1E4F6H）＝091DH。下列各指令或程序段分别执行后的结果如何? （１） MOV CL，20H[BX][SI] （２） MOV [BP][DI]，CX （３） LEA BX,20H[BX][SI]
MOV AX，2[BX]
（４） LDS SI，[BX][DI]
MOV [SI]，BX
（５） XCHG CX，32H[BX]
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