1、放置电压探针 在Capture窗口内选PSpice\\Marker\\Valage level或单击工具栏的钮，出现一个信号探针的符号，将其防入电路图中。这样可以省去输入纵轴变量这一步，即“选择Trace\\Add Trace...或快捷图钮
或键盘上的[Insrt]钮”
2、执行PSpice\\Run菜单命令或单击按钮，出现下面的PSpice窗口
实验四 晶体三极管的输出特性曲线（直流扫描分析） 一、学习目的：
使用OrCAD/PSpice9直流扫描分析(DC Sweep)的嵌套扫描(Nested Sweep)来验证晶体三极管的Vce-Ib 输出特性曲线。
二、练习步骤：
步骤一： 绘出电路图
1．建立项目Q并绘出如图示1的电路图,并存为q.opj。
图1 测量NPN型晶体管的Vce-Ib曲线的电路
本电路需要使用的元件,如下所示:
元件 元件库 元件编号 元件种类 元件设定 Q1 zetex.olb Q2N2222 三极管 Vce source.olb Vdc 直流电压源 DC = 0V Ib Source.olb Idc 直流电流源 DC = 0A 2、电压源Vce和电流源Idc的元件属性默认都为0，我们不去改动它。因为它只在偏压点分析（Bias Point Detail）时有用，而本范例将直接使用直流扫描分析(DC Sweep)的嵌套扫描(Nested Sweep)来求解Q2N2222的Vce-Ic特性曲线。 步骤二: 设置直流扫描分析和直流嵌套扫描的参数
1．晶体管特性曲线Vce-Ic的横轴为Vce，纵轴为Ic，而随着不同的值会各自有一条对应的曲线。也就是说， 有两个不同的输入变量在改变，而主扫描变量为Vce，副扫描变量为Ib。如果想要在同一张输出波形图上同时显示这两种扫描的输出结果，使用直流扫描分析(DC Sweep)的嵌套扫描(Nested Sweep)是最方便不过了。
2、选择Pspice\\New Simulation Profile或单击工具栏上的按钮,打开New
Simulation对话框，在Name栏中输入本仿真文件的名称dc，打开Simulation Setting-dc对话框。
3、设置DC Sweep仿真参数
（1）设置主扫描参数在Options栏内勾选Primary Sweep 选项，然后如图2所示输入参数：
图2 DC Sweep(Primary Sweep)仿真参数
（2）设置副扫描参数 在Options栏内勾选Secondary Sweep选项，然后如图3所示输入参数：
图3 DC Sweep(Secondary Sweep)仿真参数
（3）说明：
①我们已在设置主扫描变量为电压源Vce，由0V开始线性扫描直到4V，每隔0.01V记录一点。副扫描量为电流源(Current Source)Ib，Sweep Type栏：选Linear线性扫描，Star Value:栏设为0，End Value栏设 为0.5m，Increment：设为0.1m，如此Ib将在0mA、0.1mA、0.2mA、0.3mA、0.4mA和0.5mA时各扫描出一条曲线。
②副变量Ib也可以用数值列表的方式(Value List)设置。在Sweep Type栏选Value List选项，然后直接在右边的空白栏内输0mA 0.1mA 0.2mA 0.3mA 0.4mA 0.5mA即可。
步骤三: 存档并执行PSpice仿真
1、用File\\Save功能选项或工具栏的钮或快捷键[Ctrl+S]存档一次。
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