图4.19 增加的最优化参数
f. 接下来，通过Mode键将Parameter模式改为Targets模式,并定义优化目标；
g. Optimizer利用DECKBUILD中Extract语句的值来定义优化目标。因此，返回DECKBUILD的文本窗口并选中Extract栅极氧化厚度语句，如图4.20所示；
图4.20 选中优化目标
h. 然后，在Optimizer中，依次点击Edit和Add项。这就将“栅极氧化”这个目标添加到了Optimizer的目标列表中去。在目标列表里定义目标值。在Target value中输入值100 ?（见图4.21）；
通过在栅极氧化工艺过程中改变温度和偏压，Optimizer对栅极氧化厚度进行了优化。 i. 为了观察优化过程，我们可以将Targets模式改为Graphics模式，如图4.22所示；
图4.21 在Target value中输入值100 ?
图4.22 Optimizer中的Graphics模式
j. 最后，点击Optimize键以演示最优化过程。仿真将会重新运行，并且在一小段时间之后，重新开始栅极氧化这一步骤。优化后的结果为，温度925.727C，偏压0.982979，以及抽样氧化厚度100.209 ?，如图4.23所示；
为了完成最优化，温度和偏压的最优化值需要被复制回输入文档中。
k. 为了复制这些值，需要返回Parameters模式并依次点击Edit和Copy to Deck菜单项以更新输入文档中的最优化值，输入文档将会在正确的地方自动更新。如图4.24所示；
图4.23 最优化完成
图4.24 优化后的参数在正确的地方自动更新
4.1.8完成离子注入
离子注入是向半导体器件结构中掺杂的主要方法。在ATHENA中，离子注入是通过可在ATHENA Implant菜单中设定的Implant语句来完成的。这里要演示阈值电压校正注入，条件是杂质硼的浓度为9.5×1011cm-2，注入能量为10keV，tilt为7度，rotation为30度，步骤如下：
g. 在Commands菜单中，依次选择Process和Implant…，出现ATHENA Implant菜单； h. 在Impurity一栏中选择Boron；通过滚动条或者直接输入的方法，分别在Dose和Exp:这两栏中输入值9.5和11；在Energy、Tilt以及Rotation这三栏中分别输入值10、7和30；默认为Dual Pearson模式；将Material Type选为Crystalline；在Comment栏中，输入Threshold Voltage Adjust implant；
i. 点击WRITE键，注入语句将会出现在文本窗口中，如图4.25所示；
图4.25 阈值电压调整注入语句
参数CRYSTAL说明了对于任何解析模型来说，均使用一片硅单晶上的值域抽样统计值。
j. 点击DECKBUILD控制栏上的Cont键，ATHENA继续进行仿真，如图4.26所示；
图4.26 阈值电压调整注入步骤的仿真
4.1.9在TONYPLOT中分析硼掺杂特性
硼杂质的剖面形状可以通过2D Mesh菜单或TONYPLOT的Cutline工具进行成像。在2D Mesh菜单中，可以显现硼杂质的剖面轮廓线。另一方面，在二维结构中运行Cutline工具可以创建一维的硼杂质的横截面图。
首先，我们用图示的方法说明如何利用2D Mesh菜单去获得硼杂质剖面的轮廓线。 a. 绘制历史文件“.history05.str”（阈值电压校正注入这一步骤后得到的历史文件），具体方法是，首先选中它，然后从DECKBUILD的Tools菜单依次选择Plot和Plot Structure；
b. 在TONYPLOT中，依次选择Plot和Display…项，窗口Display(2D Mesh)将会弹出； c. 选择Contours图象画出结构的等浓度线；点击Define菜单并选择Contours…，如图4.27所示；
图4.27 调用TONYPLOT：Contour菜单
d. TONYPLOT：Contour弹出窗口将会出现。在缺省状态下，窗口中Quantity选项为Net doping，现在将Net doping改为Boron；点击Apply键，运行结束以后再点击Dismiss；
e. 硼杂质的剖面浓度轮廓图如图4.28所示；
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