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DW 一、主要特性
静态电流
待机电流（检测到过放之后） 过充检测精度（Topt=25℃） 过充检测精度（Topt=0到50℃） 过放检测精度 过放检测电压 过流保护
过充延迟（VDD=4.4V）
过放延迟（VDD=2.2V带有内置电容） 封装
典型值：4.0uA 典型值：0.2uA ±50mV ±60mV ±100mV
锂电池保护IC
2.0V到3.0V，每步0.005V 0.04V到0.32V，每步0.04V 110mS 22mS（最小值） SOT23-6/6-pin
二、基本描述
DW01是一款单节可充电锂电池保护集成电路，具有过充、过放、过流及短路保护功能。 IC内部包含：三个电压检测电路、一个基准电路、一个延迟电路、一个短路保护电路和一 个逻辑电路。当充电电压逐渐增大超过过充检测电路的阈值VDET1时，CoutPin的输出电压 即过充检测电路的输出电压VD1会变到低电位，也就是充电器负端的电位。在进入过充保护状 态后，当VDD电压降低到VREL1下方或者当电池组脱离充电器而接一个负载，且VDD介于 VDET1与VREL1之间时VD1可以复位，即CoutPin输出变为高电位。
当放电电压低于过放检测电路的阈值VDET2时，经过一段固定的延迟时间，DoutPin的 输出即过放检测电路的输出VD2会变为低电位。这时，若给电池充电，当电池电压上升到过放 检测电路的阈值电压之上时，VD2恢复，Dout的输出电压变为高电平。
当有过流情况出现时，内部过流检测电路会检测到，经过一段固定的延迟时间后，VD3和 Dout变为低电平，放电回路被切断。这时，若将电池组从负载系统中分开，VD3会恢复使Dout 变为高电平。
当有外部短路电流时，短路保护电路会立即使Dout变为低电位，当外部短路电流消失后， Dout会转换为高电位。在检测到过放之后，会通过关闭一些内部电路使电源电流非常低。IC 过充检测电路的延迟时间可以通过连接外部电容进行设置。CoutPin和DoutPin的输出类型 是CMOS。封装形式为SOT23-6。
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DW 01 三、电路框图
锂电池保护IC
四、Pin脚图
DW01
五、Pin脚定义
Pin脚位 1 2 3 4 5 6
VDD Vss 符号 Dout V- Cout
Pin描述
过放检测电路的输出，CMOS输出 充电器的负端输入Pin 过充检测电路的输出，CMOS输出 空脚位 电源 地
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DW 01
六、最大绝对额定值
符号 V- Vcout Vdout PD Topt Tstq
项目 输入电压V- CoutPin DoutPin 功耗 工作温度范围 储存温度范围
额定值 VDD-18到VDD+0.3 VDD-18到VDD+0.3 VDD-0.3到VDD+0.3
150 -30到85 -55到125
锂电池保护IC
单位 V V V mW ℃ ℃
最大绝对额定值是极限值，在任何情况下都不能片刻超过。而且，任两项不能同时达到此 值。在最大绝对额定值以上工作会引起器件特性衰退或者永久损坏。这里仅强调额定值，并不 表示在额定值下实际的工作情况。
七、电气特性
符号 VDD1 VDET1 VREL1 tVDET1 VDET2 VREL2 tVDET2 VDET3 tVDET3 Vshort tshort Vol1 Voh1 Vol2 Voh2 IDD Istandby
项目 输入电压 过充阈值电压 过充检测恢复电压 过充保护延迟时间 过放阈值电压 过放检测恢复电压 过放保护延迟时间 过流阈值电压 过流保护延迟时间 短路保护电压 短路保护延迟时间 CoutPinN沟道导通电压 CoutPinP沟道导通电压 DoutPinN沟道导通电压 DoutPinP沟道导通电压
静态电流 待机电流
VDD=3.6Vto2.2V 检测“V-”pin电压的上升沿
VDD=3.0V VDD=3.9V VDD=3.0V VDD=4.4V Iol=50uA,VDD=3.9V Iol=-50uA,VDD＝2.2V Iol=50uA,VDD=3.9V VDD=3.9V,V-=0V
VDD=2.0V
3.4 3.4
VDD=3.6Vto4.4V 检测电源电压的下降沿
条件
VDD到VSS之间的电压 检测电源电 压的上升沿
温度25℃ 0~50℃ *Note
最小值 1.5 4.25 4.24 4.05 80 2.30 2.90 22 0.12 5 1.20
0.15 10 1.35 10 0.35 3.7 0.2 3.7 4 0.2
6 0.3 0.5 0.18 15 1.50 50 0.5
4.30 4.30 4.10 110 2.40 3.00 典型值
最大值 10 4.35 4.36 4.15 140 2.50 3.10
单位 V V V V ms V V ms V ms V us V V V V uA uA
*注意：考虑到工艺参数的波动，我们采用trim来补偿与温度有关的参数。然而，此规格书 是由设计而不是产品测试来保证的。
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DW 01 八、工作过程
1．VD1/过充检测
锂电池保护IC
VD1监控VDDpin的电压。当VDD电压逐渐升高超过过充检测电路的阈值VDET1时，VD1 会检测到过充，同时将CoutPin的输出转为低电位使得承担外部充电控制的NMOS管关断。 有两种情况可以让VD1复位，使CoutPin的输出重新回到高电位，从而使系统重新恢复到充 电过程。第一种情况是VDD电压拉低到“VREL1”以下；第二种情况，是将电池组与充电器断 开，并连接一负载放电，使VDD值降低到介于“VDET1”和“VREL1”之间。在检测到过充并且 VDD电压高于VDET1时，电池连接到负载使负载电流流过外部充电控制MOSFET的寄生二极 管。当VDD通过负载电流的持续抽取被拉低到VDET1以下时，CoutPin输出转为高电平。当 VDD高于VDET1后在一定的输出延迟时间内又降回到低于VDET1，VD1将不会输出一个信号 来关断充电控制的MOSFET。CoutPin的电平转换器与缓冲驱动器结合在一起使CoutPin的 低电平为V-Pin的电压，而且CoutPin的高电平为VDD电压。 2．VD2/过放检测
VD2监控VDDPin的电压。当VDD电压低于过放检测电路的阈值电压VDET2时，VD2 会检测到过放，同时DoutPin输出为低电平使得外部过放控制NMOS管关断。
在进入到过放保护状态后，为了使VD2复位并且DoutPin的输出恢复到高电平，对 DW01而言，必须要给电池组充电。如果VDD电压维持在过放检测电路的阈值电压VDET2 之下，充电电流会通过外部放电控制MOSFET的寄生二极管路径。当VDD电压重新升高到 VDET2之上时，DoutPin转换为高电平，这时放电过程将可以通过导通的放电控制 MOSFET继续进行。
将电池组连接到充电器，当VDD电压高于VDET2时，DoutPin电位立即变为高电平。 对DW01来说，当VDD电压等于或者高于过放恢复电压/VDET2时，过放保护情况会被 解除。
过放检测电路的延迟时间是固定的，当VDD=2.2V时tVDET2最小为22ms。当VDD电压 低于VDET2后在一定的输出延迟时间内又重新被拉高到高于VDET2，VD2将不会输出一个信 号来关断放电控制的MOSFET。
VD2检测到过放之后，静态电流会减小到典型值0.2uA（VDD=2.0V），此时只有充电检测 电路工作。
DoutPin的输出类型具有CMOS特性，即输出高电平为VDD，输出低电平为Vss。
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DW 01
3．VD3/过流检测，短路检测
锂电池保护IC
过流检测电路和短路保护电路在两个控制MOSFET同时为“ON”时才能工作。当V-Pin 的电压值介于短路保护电压Vshort和过流保护阈值电压VDET3之间时，过流检测电路工作并 且提高V-Pin的电压高于Vshort使短路保护电路工作，从而使DoutPin的输出为低电平，外 部放电控制NMOS管被关断。过流检测电路的延迟时间是固定的，在VDD=3.0V时，典型值 是10ms。在这个延迟时间内，如果V-Pin从介于Vshort和VDET3之间的一个电位快速恢复， 会使放电控制MOSFET保持“H”。当短路保护电路开始工作时，DoutPin将会输出低电平， 其延迟时间的典型值为10us。V-Pin有一个连接到VssPin的内置下拉电阻，典型值为100 kOhm。当IC进入过流或短路保护状态后，如果将引起过流或外部短路的因素消除，可以使外 部放电控制MOSFET自动导通，同时V-Pin的电位通过内部下拉电阻拉低到Vss。 如果VDD电压升高到VDET2以上同时又检测到过流时，DW01不会进入待机模式，除非 VDD电压低于VDET2，DW01才会进入待机模式。
九、应用电路
DW01
R1和C1可以使得提供给DW01的电源电压稳定。建议R1的阻值小于1kOhm。R1值太 大将导致检测电压升高，产生错误。
R1和R2可能会导致IC功耗超过DW01的功耗额定值，R1+R2的总值要超过1kOhm。
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