要点：存储器的分类，存储器的分级结构。
第二节 随机读写存储器
要点：SRAM基本存储元的存储原理；△SRAM芯片的组成及其逻辑结构；△○SRAM的扩展；
△○SRAM与CPU的连接；理解DRAM基本存储元的存储原理；△DRAM芯片的组成及其逻辑结构；△DRAM的刷新；了解及工作原理；了解闪存的工作原理及其特点。
第三节 只读存储器和闪速存储器
要点：了解只读存储器的工作原理；了解闪存的工作原理及其特点。
第四节 高速存储器
要点：了解高速存储器的特点；了解双端口存储器的原理；了解多模块交叉存储器；相联存储器。
第五节 Cache存储器
要点：了解Cache的功能；△○掌握主存Cache的地址映射：全相联方式、组相联方式和直接相联方式。
*闪存：高性能、低功耗、高可靠性以及移动性
EDRAM芯片的构成
编程操作：实际上是写操作。所有存储元的原始状态均处“1”状态，这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子，从而使存储元改写成“0”状态。如果某存储元仍保持“1”状态，则控制栅就不加正电压。如图(a)表示编程操作时存储元写0、写1的情况。实际上编程时只写0，不写1，因为存储元擦除后原始状态全为1。要写0，就是要在控制栅C上加正电压。一旦存储元被编程，存储的数据可保持100年之久而无需外电源。
读取操作：控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存1，可认为浮空栅不带负电，控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原存0，可认为浮空栅带负电，控制栅上的正电压不足以克服浮动栅上的负电量，晶体管不能开启导通。当MOS晶体管开启导通时，电源VD提供从漏极D到源极S的电流。读出电路检测到有电流，表示存储元中存1，若读出电路检测到无电流，表示存储元中存0，如图(b)所示。
擦除操作：所有的存储元中浮空栅上的负电荷要全部泄放出去。为此晶体管源极S加上正电压，这与编程操作正好相反，见图(c)所
示。源极S上的正电压吸收浮空栅中的电子，从而使全部存储元变成1状态。
*cache：设存储器容量为32字，字长64位，模块数m=4，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期T=200ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期=50ns。若连续读出4个字，问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?
解：顺序存储器和交叉存储器连续读出m=4个字的信息总量都是：
q=64b×4=256b
顺序存储器和交叉存储器连续读出4个字所需的时间分别是：
t2=mT=4×200ns=800ns=8×10-7s
t1=T+(m-1)=200ns+350ns=350ns=35×10-7s
顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是：
W2=q/t2=256b÷(8×10-7)s=320Mb/s
W1=q/t1=256b÷(35×10-7)s=730Mb/s
*CPU执行一段程序时，cache完成存取的次数为1900次，主存完成存取的次数为100次，已知cache存取周期为50ns，主存存取周期
为250ns，求cache/主存系统的效率和平均访问时间。
解：
h=Nc/（Nc+Nm）=1900/(1900+100)=
r=tm/tc=250ns/50ns=5
e=1/(r+(1-r)h)=1/(5+(1-5)×=%
ta=tc/e=50ns/=60ns
*存储器：已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用256K×16位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块板结构形式，问：
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