第三节后端仿真
1、用Hspice仿真器进行后仿真
将上述三个文件复制到XP系统下面，然后新建一个dualinv.sp文件(即新建文本文档，后缀改成.sp)，这样同一目录下就有四个文件，如下
将dualinv.pex.netlist文件中的电路复制到dualinv.sp文件中(即蓝色框内这部分)
[注意：dualinv.pex.netlist文件里面那两行include \dualinv.pex.netlist.pex\和 include \dualinv.pex.netlist.DUALINV.pxi \千万不要忘记复制过来。 ]
第一行一定要加一个“*”符号。
然后在dualinv.sp中加激励信号以及一些测试语句即可以仿真，如下
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(这是dualinv.sp文件)
[注意：Hspice不区分字母大小写]
接下来用Hspice仿真器仿真这个dualinv.sp文件，然后看输出波形，看功耗延时参数，这些就已经是后端仿真的参数了。 [Attention]
1.1初始值要根据实际条件修改。
1.2
如下图：.subckt lcff 后边是lcff的端口，并不一定与前仿时自己编写的端口顺序一致，所以需要重新根据下文测试代码的顺序做相应的改变，否则会出错。切记！！！
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2、不同工艺角(corners)的仿真
CMOS电路在生产在存在工艺偏差，一般在四个工艺角(SS、FF、FS、SF)下对电路进行仿真。具体操作如下：
在.sp文件加载模型这里改成相应的corner即可
3、蒙特卡罗法(Monte-Carlo)分析PVT对触发器的影响
一般的VT组合分为以下三种：
-40C 2.0V；25C 1.8V；125C 1.6V (即电压偏差值在正负10%)
蒙特卡罗法(Monte-Carlo)分析PVT就是取不同的电压和温度组合，然后进行Monte-Carlo分析，MC分析就是随机选取器件的参数。【要进行Monte-Carlo分析首先工艺厂商提供的仿真模型(rf018.l文件)要支持Monte-Carlo分析，即里面要有MC模型。】具体操作如下：
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温度、输入电压要变化，然后加上Monte-Coral分析。注意红色横线部分 ************************************************************
到此为止，整个后端仿真的流程演示完毕，当然这里面还有很多是不够细致的，主要是画版图这一块。画版图是一个经验积累的过程，我上面演示的只是一个很简单的例子，这还需要大家在学习中不断积累经验。
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其它知识
(用spectre仿真器的需要看以下步骤，用Hspice仿真器不需要看) ——————————用spectre仿真器仿真—————— (如果format这里选择的是CALIBREVIEW)运行后弹出
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