一、（本题20分，每小题2分）判断题
1．处于放大状态的晶体管，发射极电流是多子的漂移运动形成的。 2．只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。 3．直接耦合放大电路的零点漂移主要是由晶体管的温漂造成的。 4．集成运放中，有源负载可以大大提高其增益。
5．放大电路在低频或高频信号作用时放大倍数下降的原因是静态工作点不合适。 6．温度升高，晶体管的输入特性曲线将左移。
7．运算电路中的集成运放应工作在线性区，所以必须引入负反馈。 8．放大电路中引入的负反馈越强，电路的放大倍数就一定稳定。
9．欲减小电路从信号源索取的电流，增强带负载能力，应在放大电路中引入电流并联负反馈。
10．单管共集放大电路的输入电阻与负载有关。 二、（本题20分，每小题2分）选择题
1．当稳压管处于（ ）状态时，其工作在稳压区。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 2．由于放大电路中电抗元件的存在及三极管具有（ ），所以要研究放大电路的频率特性。
A．电容特性 B．反向击穿特性 C． 单向导电性
3．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是负反馈。
A．净输入量增大 B．输出量增大 C．净输入量减小 4．给出图1所示复合管的等效管的类型（ ）。
A．PNP型 B．NPN型 5．互补输出级采用共集形式是为了（ ）。
A．电压放大倍数大 B．带负载能力强 C．不失真输出电压大
6．单端输入时差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（ ）。
A．差 B．和 C．平均值 7．二极管的电流方程是（ ）。
A．i?ISeuD B．i?ISeuD/UT C．i?IS(euD/UT?1) 8．集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）。
A．指标参数准确 B．参数不受温度影响 C． 参数一致性好 9．欲将正弦波电压移相90°，应选用（ ）。
A．乘方运算电路 B．积分运算电路 C．微分运算电路 10．理想运放的共模抑制比为（ ）。
A．零 B．无穷大 C．由放大倍数决定 三、（本题40分，每空2分）填空题
1．电路如图2所示，已知ui?10sin?t(V)，画出波形ui 和uO 。设二极管正向导通电压可忽略不计。
图2 图3 图4
2．图3所示电路是否可能放大正弦测试信号。设图中所有电容对交流信号可视为短路。 。
3．电路如图4所示，已知集成运放为理想运放，最大输出电压幅值为?14V。电路引入了 （填入反馈组态）交流负反馈，电路的输入电阻为 ，电压放大倍数Auf??uO/?uI= 。设uI?1V，则uO为 V；若R1开路，则uO变为 V；若R1短路，则uO变为 V；若R2开路，则uO变为 V；若R2短路，则uO变为 V 。
4．已知某电路的各级均为共射放大电路，反馈网络由纯电阻组成，其波特图如图5所示。电路的中频电压增益20log|Aum|= dB；电路的下限截止频率fL?
?? 。若Hz，上限截止频率f? Hz，电路的电压放大倍数的表达式AHuuI??AuOR2100kΩR110kΩ??1，引入反馈后，F电路 （填会或不会） 产生自激振荡，若使电路稳定，
?|的上限值约为 ，各级是 耦合方式。 则|F
图6 图5
5．已知一个负反馈放大电路的A?105，F?1.2?10?3，则Af= ；若A的相对变化率为20%，则Af的相对变化率为 。
四、（本题40分）共射放大电路如图6所示，晶体管的??80，rbb??100?，
UCES?0V，Rb?56kΩ，Rc?5k?，Rs?3k?，VCC?15V。试分别计算RL??和
?，输入电阻R，输出电阻R，最大R?3k?时的静态工作点，电压放大倍数ALusio不失真电压Uom。
五、（本题40分）由理想集成运放组成的负反馈放大电路如图7所示，R1?10k?，
R3?9.1k?，R2?R4?R5?100k?。判断引入的局部交流负反馈的组态，及整个电路引入的交流负反馈的组态。试求电路的电压放大倍数Au，输入电阻Rif，输出电阻
Rof。 图7
六、（本题40分）放大电路如图8所示。试分析判断（1）电路是否引入了反馈？是交流还是直流反馈？若引入了交流反馈，是否为负反馈？若是，判断反馈类型？（2）试求深度负反馈时的电压放大倍数Au?Vo/Vs或Au?Vo/Vi。
图8
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