半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
图5-2
3DG12缓变结结电容CX(CT)与偏压V关系曲线（双对数坐标）
利用公式计算突变结的势垒厚度?和杂质浓度Np与缓变结势垒厚度?和杂质浓度梯度
aj：
???0qNp??2??0?①
突变结：????VD?V?? ，CT?A?2V?V?；
??????D?qNp??12??0????0qaj??VD?V??，CT?A?缓变结：????。 qa12V?V?????j??D???上述各式中： 电子电荷q?1.6?10?191322131212C，真空介电常量?0?8.854?10?12F/m
以下参数适用于3DG12缓变结相关计算
以下参数适用于3AX31突变结相关计算
VD?Ge??0.3V VD?Si??0.8V
??Ge??16.0
A?3AX31??5?10?3cm2
??Si??11.8
A?3DG12??1.5?10?2cm2
在计算时应注意，V是反向偏压，为负值，故有VD
①
?V?VD?|V|。CX(CT)取直流偏压
V?6.0V时对应的电容值，对于缓变结，使用V?5.0V时对应的电容值做近似计算。
实验讲义中对应公式有误
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半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
思考题
1、 图5中各元件的作用。
左侧ug、R1、C、L组成谐振电路，产生谐振； 右侧电路为二极管CX提供直流偏压； 电感L1将来自左侧的高频信号滤出； 电容C1将来自右侧的直流信号阻断。 2、 如何用本实验求内建电势差VD。
12?对于突变结，作出2?VD?V?的图像，由斜率可求出ND，由截距可求2CTq?0?AND出VD；
对于缓变结，作出出VD。
112??VD?V?的图像，由斜率可求出ai，由截距可求3223CTq?0?Aai 12 / 20
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
实验六 光电器件性能测试与应用
数据处理
表6-1 光电流 上升时间 下降时间 实验数据记录表 IL/mA tr/μs tf/μs 思考题
1、 试说明哪些半导体材料可做光电器件？
具有直接带隙的半导体材料具有较高的发光效率，可做光电器件，如GaAs，GaN等。 2、 简述光电三极管的工作原理。
光电二极管是在反偏压下，光照使结的空间电荷区内和扩散区产生大量的非平衡载流子，这些载流子被内建的电场和偏压电场漂移，形成大的反向电流（即光电流），它比结的反向饱和电流大很多。
光电三级管与反向偏压的光电二极管类似，但有两个P-N结。
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半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
实验七 MOS管静态参数的测试
数据处理
3DJ7耗尽型（N沟道耗尽型）MOS管饱和漏电流IDSS表7-1
3DJ7耗尽型MOS管转移特性测量
?__mA，夹断电压Vp?__V。
测试条件：VDSVGS/V ID/mA ?8V
根据上表数据，绘制该MOS管的转移特性曲线如下： 图7-1
3DJ7耗尽型MOS管转移特性曲线
由拟合曲线图，使用Origin软件可读出各测量点处的斜率值，即跨导gm，如下：
表7-2 VGS/V gm/mS 3DJ7耗尽型MOS管各测量点处跨导值 -3.29 0.17544 -2.15 0.30994 -1.70 0.38889 -1.10 0.5 -0.80 0.66667 此表数据由Origin软件读出，gm
??IDVDS。 ?VGS 14 / 20
半导体器件性能测试实验 数据处理示例及思考题参考答案
表7-3 VDS/V ID/mA 3DJ7耗尽型MOS管输出特性测量
测试条件：VGS=-2.0V 测试条件：VGS=-1.5V VDS/V ID/mA VDS/V ID/mA 测试条件：VGS=-1.0V 根据上表数据，绘制该MOS管的转移特性曲线如下：
图7-2 3DJ7耗尽型MOS管输出特性曲线
BS250增强型（N沟道增强型）MOS管开启电压VT表7-4
?__V
BS250增强型（N沟道增强型）MOS管转移特性测量
测试条件：VDSVGS/V ID/mA ??5V
根据上表数据，绘制该MOS管的转移特性曲线如下：
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