电子科技大学2009半导体物理期末考试试卷A试题答案

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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

C(pF) C0 22 (2) Cmin 8.16 (1) -17 -9.8 0

VG(V)

解：（1）由图示的C-V曲线可得： C0=Ci=22pF, Cmin=8.16pF 所以，SiO2的厚度为：

A?0?r1.6?10?7?8.85?10?12?3.9?7 d0???2.5?10(m)?250nm （ 2分 ） ?12C022?10⑵ 由于金属和半导体功函数的差别，而引起半导体中的电子的电势能相对于金属提高的数值为：

qVms= Ws -WAl， 则因此引起的平带电压： VFB??Vms?'Wm?Ws??0.1V （ 2分 ） q计算界面固定电荷密度时应该从负偏压的C-V曲线确定VFB,即曲线（1），此时移动电荷已经到Al和SiO2的界面，所以，固定电荷密度为：

Nfc?Ci(Vms?VFB1)Aq22?10?12?(?0.1?9.8) 1.6?10?7?1.6?10?19?8.29?1015(m?2)?8.29?109(cm?2)（ 2分 ）

⑶ 计算可移动电荷密度，由正负温偏处理后的?VFB来计算，

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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

N0?VFBm?CAq ?22?10?121.6?10?7?1.6?10?19?[?9.8?(?17)] ?6.2?1015(m?2)?6.2?109(cm?2) 4分 ）

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