模拟电子技术基础第一章测试题

《模拟电子技术基础》

第一章测试题

一、 判断题（对的打“√”，错的打“×”，每小

题1分，共20分）

1、N型半导体的多数载流子是空穴（ ） 2、P型半导体的多数载流子是空穴（ ）

3、本征半导体中同时存在电子电流和空穴电流（ ） 4、N型半导体中的电子浓度高于空穴的浓度（ ） 5、本征半导体的自由电子数目等于空穴的数目（ ） 7、三极管基极电流Ib 微小的变化将使___________发生很大的变化。

8、场效应管有三个电极分别叫________、__________、___________。 三、选择题（每题2分，共40分） 1、 当晶体管工作在放大区时，（ ）。 A发射结和集电结均反偏； B.发射结正偏，集电结反偏； C. 发射结和集电结均正偏； 2、.本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 6、PN结具有单向导电性（ ）

7、二极管加正向电压导通，加反向电压时截止（ ） 8、二极管的反向电流越小，其单向导电性越好（ ） 9、稳压二极管正常工作区域为反向击穿区（ ） 10、三极管工作于放大状态时，其发射结正偏，集电结反偏（ ）

11、三极管三电极上的电流分配关系为Ie=Ib+Ic（ ） 12、三极管属于电压控制器件（ ） 13、场效应管属于电压控制器件（ ） 14、场效应管的源极和漏极可互换使用（ ） 15、MOS 场效应管的栅极不能开路，存放时应该将其三个电极短路（ ）

16、MOS 场效应管和三极管一样都是半导体器件，所以可以使用万用表直接测量其管脚极性（ ） 17、在焊接时，只能用烙铁的余热焊接（ ） 18、MOS 场效应管的栅极与源极和漏极是绝缘的但与衬底无关（ ）

19、 增强型MOS 场效应管的导电沟道是在外加电源的作用下产生的（ ）

20、耗尽型MOS 场效应管的导电沟道是本身存在的（ ）

二、填空题（每空1分，共15分）

1、N型半导体是指在本征半导体中，掺入______的杂质元素构成的半导体。

2、P型半导体的多数载流子是________,少数载流子是____________。

3、N型半导体又叫________________________。 4、PN结具有_____________,即加_______导通，加________截止。

5、Si二极管的死去电压为_______,正向导通电压为__________。

6、Ge二极管的死去电压为_______,正向导通电压为__________。

A.大于 B.小于 C.等于

3、稳压管通常工作于______，来稳定直流输出电压

A.截止区 B.正向导通区 C.反向击穿区 4、不属于半导体属性的是（ ）

A、热敏性 B、光敏性 C、掺杂性 D、综合性 5、晶体三极管作开关作用，其工作状态是（ ） A、放大和饱和 B、放大和截止 C、饱和和截止 D、放大、饱和和截止

6、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（ ）。

A、少数载流子 B、多数载流子 C、既有少数载流子又有多数载流子。

7、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ）。

A、NPN管的发射极 B、PNP管的发射极 C、PNP管的集电极

8、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（ ）

A、R×100Ω、R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10KΩ 9、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为 （ ）

A、P型半导体 B、本征半导体 C、N型半导体 9、在下面电路中,( )图的小指示灯不会亮。

10、在用万用表测得二极管的正、反向电阻时，其阻值分别为R1和R2，则有（ ）

A、R1>R2 B、R1

11、下面可以导通的二极管为（ ）

12、二极管导通时，则二极管两端所加的是（ ）电压。

A、正向偏置 B、反向偏置 C、无偏置 13、当二极管两端正向偏置电压大于（ ）电压时，二极管才能导通。

A、击穿 B、饱和 C、门坎

14、二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到（ ）电压以前，通过的电流很小。

A、击穿 B、最大 C、短路

15、当三极管的发射结和集电结都正偏时，三极管处于（ ）状态。

A、饱和 B、截止 C放大

16、二极管2AK表示的含义不正确的是（ ） A、2表示二极管 B、该二极管是由硅材料制作而成的开关二极管

C、该二极管是由锗材料制作而成的开关二极管

17、三极管3DX表示的含义不正确的是（ ） A、该三极管是PNP型的 B、该三极管是高频管 C、该三极管属于大功率管 18、下列说法错误的是（ ）

A、场效应管属于电压控制器件 B、可以用万用表测其管脚的极性

C、MOS管存放时应将三个电极开路 19、场效应管优点说法错误的是（ ）

A、输入电阻高 B噪声小，热稳定性差 C、耗电省 ，易集成

20、场效应管的电流放大作用体现在（ ）

A、UGS对ID 的控制 B、UDS对ID 的控制 C、ID对UGS的控制

四、如图所示的电路中，V1V2都是理想二极管（即正向导通时其正向电阻和管压降为0 ，反向截止时其正向电阻和管压降为无穷大）判断（a）(b)两图中的二极管是导通还是截止以及VAB和VCD（每题5分，共10分）

五、将以下器件串联，使二极管导通。（共5分）

六、计算题（每题5分，共10分）

1已知某三极管的Ic=2mA,β=50，则IB,IE各为多少？（突略ICEO）

2三极管IB1=40μA,IC1=4mA,IB2=20μA,IC2=2mA,求其β=?