所以，导通过程的交叉时间是
tcross_turnon＝t2＋t3＝0.83+6.966＝7.796ns 因此，导通的交叉损耗是
P cross_turnon＝1/2×Vin×Io×tcross_turnon×fsw＝1/2*15*22*7.8*10-9*5*105＝0.64W 关断时
时间常数是Tg＝Rdrive×Cg＝1*6300pF＝6.3ns 电压传输时间为
T2＝（Vin×Cgd×Rdrive）/（Vt＋Io/g）＝（15*0.75*1）/（1.05+22/100）＝8.858ns 电流传输时间为
T3＝Tg×In[(Io/g+Vt)/Vt]＝6.3*In[(22/100+1.05)/1.05]=1.198ns 关断的交叉时间是
tcross_turnoff＝T2＋T3＝8.858+1.198＝10ns 因此，关断的交叉损耗是
Pcross_turnoff＝1/2×Vin×Io×tcross_turnoff×fsw＝1/2*15*22*10*10-9*5*105＝0.83w
最终总的开关交叉损耗是：
Pcross＝P cross_turnon＋Pcross_turnoff＝0.64+0.83＝1.47w
Cds电容并不影响V－I重叠面积（因为不和栅极连接）。但是在开关管关断和导通时分别充电和放电，这也是额外损耗（消耗在那里？），在低压是不明显，但是在高压时这个损耗比较大。
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P_Cds＝1/2×Cds×V2in×fsw＝1/2*450*10-12*152*5*105＝0.025w 因此总的开关损耗是
Psw＝Pcross＋P_Cds＝1.47+0.025＝1.5w 驱动损耗是
Pdrive＝Vdrive×Qg×fsw＝4.5*36*10-9*5*105＝0.081w
在反激DCM模式下，mosfet的导通损耗原则上是0，关断时，电感中电流为纹波电流。
第6章 布线要点
第7章 反馈环路分析及稳定性
需要数学知识有傅里叶变换、拉普拉斯变换。还要熟悉微积分、级数、复变函数。
第8、9、10、11、12、13、14章 传导EMI方面
dBμV＝20×log（mV/10-6） P240 1mV→20×log（10-3/10-6）＝60 dBμV
dB＝20×log（n）→1dB＝20×log（1.122） 0dB＝20×log（1）
传导发射的限制通常最高只达到30MHz，因为电网上30MHz以上的传到噪声会迅速衰减，不会传播的很远并造成干扰。
整流桥二极管会产生大量中频到高频的噪声，尤其在关断瞬间。
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线路阻抗不平衡，会使CM噪声转变成DM噪声
这个实践性比较强，先写几个注意事项：
1， DM扼流圈放在AC输入端，用于DM噪声消除，一般DM扼流圈比较小， 2， 放2个CM扼流圈，一般CM扼流圈比较大，达到mH级，因为Y电容比较小 3， 在桥堆前面放一个X电容，用于平衡2线上的CM噪声，使CM扼流圈有用 4， Y电容不能太大，有安全考虑，LC滤波器的设计
5， DM噪声大部分因为，开关管的滤波电容，其ESR不能为0，开关管的电流在ESR上
形成噪声电压源。
6， CM噪声，主要来自开关管（漏极）和散热支架（接地）之间有耦合电容，高频开关电
压和地之间通过电容充放电，形成到地的CM噪声。还有一部分是来自变压器。P255-263
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