R1A1R2Vin
图1.17
AMPVout第13章 A/D、D/A变换器
1.简单给出D/A变换器的基本原理
2.给出DAC的主要技术指标及含义。
3． 试比较几种常用的DAC的优缺点。
4．一个D/A变换器有10V的满量程输出，且分辨率小于40mV，问此D/A变换器至少需要多少位？
5．在图2.1中所示的T型D/A变换器中，设N＝8，及01111111时，求输出电压值。
Rf=3RR2R2RS0Vref2RS1R2RS2R2RS3R2RS4R2RS5R2RS6R2RS7RMAMPVREF＝10V。当输入分别为10000000
图2.1
6.画出一个简单的用传输门实现的电压定标的3位DAC。
7．D/A变换器的设计原则应从几个方面权衡。
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8．简单给出A/D变换器的基本原理。
9．给出ADC的主要技术指标及含义。
10．试比较几中常用A/D变换器的优缺点，并指出它们在原理上各有何特点。
11．一个4位逐次逼近型A/D变换器，若满量程电压为5V，请画出输入电压为2.8V时的判决图。
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第二部分 参考答案
第0章 绪论
1.通过一系列的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件和电阻，电容等无源元件，按一定电路互连。集成在一块半导体基片上。封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。 2.小规模集成电路（SSI），中规模集成电路（MSI），大规模集成电路（VSI），超大规模集成电路（VLSI），特大规模集成电路（ULSI），巨大规模集成电路（GSI）
3.双极型（BJT）集成电路，单极型（MOS）集成电路，Bi-CMOS型集成电路。 4.数字集成电路，模拟集成电路，数模混合集成电路。
5.集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小沟道长度。是衡量集成电路加工和设计水平的重要标志。它的减小使得芯片集成度的直接提高。 6.名词解释：
集成度：一个芯片上容纳的晶体管的数目
wafer size：指包含成千上百个芯片的大圆硅片的直径 die size：指没有封装的单个集成电路
摩尔定律：集成电路的芯片的集成度三年每三年提四倍而加工尺寸缩小2倍。
第1章 集成电路的基本制造工艺
1.减小集电极串联电阻，减小寄生PNP管的影响
2.电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大
3. 第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻
第二次光刻：P隔离扩散孔光刻 第三次光刻：P型基区扩散孔光刻 第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻 第五次光刻：引线孔光刻 第六次光刻：反刻铝
4.P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线 5.NPN晶体管电流增益小，集电极串联电阻大，NPN管的C极只能接固定电位
6.首先NPN具有较薄的基区，提高了其性能：N阱使得NPN管C极与衬底断开，可根据电路需要接任意电位。缺点：集电极串联电阻还是太大，影响其双极器件的驱动能力。改进方法在N阱里加隐埋层，使NPN管的集电极电阻减小。提高器件的抗闩锁效应。
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7.
E B C S p+ n+ p n+ p+ n n+-BL P p+
n
n+ p
n+ E B C S 8.
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第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应
1.PNP管为四层三结晶体管的寄生晶体管，当NPN晶体管工作在正向工作区时，即NPN的发射极正偏，集电极反偏，那么寄生晶体管的发射极反偏所以它就截止，对电路没有影响。当NPN处于反向工作区时，寄生管子工作在正向工作区，它的影响不能忽略。当NPN工作在饱和区时寄生晶体管也工作在正向工作区，它减小了集电极电流，使反向NPN的发射极电流作为无用电流流向衬底。此时寄生效应也不能忽略
2.在实际的集成晶体管中存在着点和存储效应和从晶体管有效基区晶体管要引出端之间的欧姆体电阻，他们会对晶体管的工作产生影响。
3. MOS晶体管的有源寄生效应是指MOS集成电路中存在的一些不希望的寄生双极晶体管、场区寄生MOS管和寄生PNPN（闩锁效应），这些效应对MOS器件的工作稳定性产生极大的影响。
4. 在单阱工艺的MOS器件中（P阱为例），由于NMOS管源与衬底组成PN结，而PMOS管的源与衬底也构成一个PN结，两个PN结串联组成PNPN结构，即两个寄生三极管(NPN
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