140GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路

来源：用户分享时间：2025/5/30 4:05:03 本文由

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蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健

【期刊名称】《太赫兹科学与电子信息学报》【年(卷),期】2018(016)003

【摘要】通过在300 μm厚度的GaAs衬底条件下,利用共面波导传输线实现了基波混频集成电路设计.利用半导体分析仪测试I-U和C-U曲线,并成功提取了相应的肖特基二极管模型.结合建立的肖特基二极管模型,代入Lange耦合器、中频结构和匹配网络等实现了140 GHz零中频基波混频片上电路,并加入了地-信号-地(GSG)测试封装.最终仿真结果表明:在固定中频1 GHz的条件下,变频损耗最优为-7 dB,3 dB带宽大于40 GHz. 【总页数】5页(369-373)

【关键词】太赫兹;基波混频;零中频;厚基板;共面波导【作者】蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健

【作者单位】中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹

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