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氢化操作规程1

来源:用户分享 时间:2025/6/10 9:11:23 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
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四氯化硅转化三氯氢硅操作规程

A:四氯化硅氢化工艺描述 一:工艺原理:

四氯化硅氢化的反应原理是SiCl4与H2混合气体在加氢反应器内与硅粉充分接触,在2.0~2.5MPa 压力、450--500℃和催化剂的条件下, SiCl4和氢气进行反应生成SiHCl3;主要反应方程式如下:

450~500℃

3SiCl4 + Si + 2H2 4SiHCl3 催化剂 二:工艺描述 硅粉的活化干燥

将硅粉和触媒按照一定的比例吊装到混料机,进行的搅拌,在硅粉和触媒搅拌混合均匀后,下料至硅粉活化干燥器,然后重复以上操作,至活化干燥器料(8.5M)位达到80%停止。(6.8 M)

将硅粉活化干燥器进行氮气置换,检测氧含量低于50ppm后,通氢气置换至氢中氮含量低于200ppm后,启动硅粉活化干燥器的电加热,按照触媒的活化干燥操作曲线,对硅粉活化干燥器内的硅粉进行活化干燥。

同时可以在系统开车时,将加氢反应器中也加入硅粉,活化干燥器和加氢反应器一同进行干燥活化。

待氢化反应系统完成氮气和氢气置换后,启动氢气压缩机,将氢气和四氯化硅按照2:1的摩尔比通入混合加热器中,控制混合气化器出口温度,经过分离器继续加热,然后进入加氢反应器中,通过电加热,在450--500度的条件下进行反应,生成三氯氢硅,反应完成后三氯氢硅混合气主要成分是四氯化硅、三氯氢硅、氢气及微量的硅粉等,混合气经过一、二级硅粉过滤器,除去硅粉等颗粒杂质。再经过一二三级冷凝器后,三氯氢硅和四氯化硅被冷凝下来进入冷凝液储罐。氢气不被冷凝,回到压缩机氢气缓冲罐重新进入系统进行循环。

冷凝料液经两只精馏塔提纯,四氯化硅回系统循环使用,三氯氢硅成品到罐区成品贮罐。

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三、工艺流程图

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B:氢化操作规程: 一、范围和目的

四氯化硅、氢气混合气体,在一定的温度、压力下与硅粉反应生成含有三氯氢硅的混合气体,经除尘、冷却、冷凝、精馏分离等过程得到高纯度的三氯氢硅,重新用作多晶硅生产,以达到降低成本,降低物耗,减少环境污染的目的。 二、工艺标准 (一)工艺原理:

SiCl4氢化工艺原理是SiCl4与H2混合气体在固定床加氢反应器内与硅粉充分接触,在2.0MPa 压力、500℃、催化剂的条件下,部分SiCl4加氢转化成SiHcl3;主要反应方程式如下:

3SiCl4 + Si + 2H2 == 4SiHcl3 (二)原辅材料规格要求 1、四氯化硅:[SiCl4] ≥99%

2、氢气:[H2] ≥99.99%,露点≤-60℃ 3、硅粉:粒度60~100目,硅含量≥98.5% 4、催化剂:镍触媒,粒度60~100目 5、导热油:温度170±5℃,压力≥0.3MPa 6、循环水:进口温度≤32℃,进口压力≥0.3MPa 7、氮气: [N2] ≥99.999%,压力≥0.5MPa 8、压缩空气:压力≥0.5MPa,露点≤-40℃,无油 8、R22冷媒:温度≤-55℃ (三)主要经济技术指标 1、氢化一次转化率≥23% 2、纯H2消耗量<0.09m/Kg SiHCl3 3、电耗:≤1KWh/Kg SiHCl3 4、硅粉:≤0.06kg/Kg SiHC13

5、触媒:≤0.0012 kg/Kg SiHC13 三:开车前的准备

1系统内所有工艺参数均已设定,并且与电脑显示一致。

2系统内所有阀门、设备、管道均已打压检漏吹扫合格,无故障设备。

3系统内调节阀开关显示与电脑一致,各温度、压力等检测仪表经校验均可准确显示。 4氮气、氢气、压空、导热油、循环水、冷媒等辅助条件备用到位,尾气淋洗塔正常投用。 四:开车

1:系统硅粉、触媒上料

(1)将硅粉和触媒按50:1的比例加到料仓,开混料机搅拌5分钟搅拌均匀后开始向活化干燥器加料。(同时也可以向氢化反应器内加料。)

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(2)活化干燥器、氢化反应器进料前确认已置换合格,加完料后充氮气检漏,确认气密性合格后,开始氮气置换,氮气置换检测氮中氧低于50ppm合格之后,开始氢气置换,氢气置换检测氢中氮低于200ppm合格后,开始切换阀门开关状态使硅粉、触媒 活化干燥系统处于活化干燥流程。

(3)连通氢气纯化装置内部阀门,在其纯化装置进口过滤器处通氮气0.3Mpa置换检测氮中氧低于50PPm合格后,通氢气0.3MPa置换检测氢中氮低于200PPm合格后,启动纯化装置和活化氢氢气压机(氢压机开车按照氢压机操作规程),打开纯化系统内部各阀门,控制FT010204a流量420Nm/h,活化干燥系统氢气开始循环。

(4)启动活化干燥器电加器程序,开始对硅粉、触媒进行干燥和活化(NiO+H2=Ni+H2O),按照控制曲线在24小时内将活化干燥器三个温度点均匀升温至240℃开始保温,此时对活化氢气进行检测合格后,保温8小时,混合料活化按照程序结束后,断电,继续氢气循环降温至200℃以下,停氢气纯化装置,关装置内XPV010204a、FPV010204a、XPV010208a、XPV010218a阀门和流量计,系统氢气保压待用。

温度℃ 起 室温 100 100 180 180 220 220 止 100 100 180 180 220 220 240 加氢催化剂升温还原程序表(暂定)

氢浓度 % 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 所需时间(h) 2 1 2 2 4 4 9 累计时间 2 3 5 7 11 15 24 3

升温速率 (℃/h) 50 0 40 0 10 0 5 注:力求氢空速:420m2/h,氢压力:常压~0.3MPa. 注意事项: (1)升温需要均匀

(2)整个催化剂床层温差:轴向≤20℃,径向≤10℃

若有超出温差的趋势,尤其在180℃~240℃期间更要注意,应提前采取有效措施,如适当延长升温或恒温时间等。

(3)如中下部催化剂达不到还原时间要求,则宜适当延长时间。

(4)务须备有高纯氮这一类惰性气体保护系统,以便在出现异常现象时,及时输入操作系统。 (5)还原过程中如出现温度暴涨现象时,可进行如下处理: 第一、停止氢气充入系统 第二、立即停止加热

第三、迅速验证还原系统中气体的含氧量(最好设置氧含量自动记录仪),如氧含量超标则立即查明原

因,进行处理

第四、充高纯氮输入系统

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