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16/32位微机原理、汇编语言及接口技术课后习题答案

来源:用户分享 时间:2025/8/18 10:18:44 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
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utol macro local next cmp al,’A’ ;小于“A”不转换 jb next cmp al,’Z’ ;大于“A”不转换 ja next add al,20h ;是大写字母则转换为小写字母 next: endm

定义一个宏movestr strn,dstr,sstr,它将strn个字符从一个字符区sstr传送到另一个字符区dstr 解:(假设它们都在数据段) movestr macro strn,dstr,sstr mov cx,ds mov es,cx mov cx,strn mov di,offset dstr mov si,offset sstr cld rep movsb ;;重复传送ES:[DI]←DS:[SI] endm

第四章

20;A19?A0;65536;A0?A9;扩展板

总线操作周期中,8088在第三个时钟周期的前沿测试READY引脚,若无效,表明被访问的设备与CPU操作不同步,CPU插入等待周期。

最小组态模式用于小规模系统,MN/MX*接高电平,分时复用引脚是:AD7?AD0,

A19/S6?A16/S3,当MN/MX*接低电平,8088构成最大组态模式,应用大规模应用程序。

引脚三态能力主要针对引脚输出信号状态:高电平、低电平和高阻。输出高阻意味着芯片放弃对引脚的控制。这样它所连接的设备就可以接管该引脚及连接导线的控制权。

RESET:复位请求,高电平有效时,CPU回到初始状态。

HOLD:总线请求,高电平有效时,其他总线主控设备向CPU申请占用总线。 NMI:不可屏蔽中断请求。外界向CPU申请不可屏蔽中断。

INTR:可屏蔽中断请求。高电平有效时,中断请求设备向CPU申请可屏蔽中断。

(1)T1周期,CPU进行读操作。

(2)T2-T4期间,CPU对数据总线输出高阻态,选通存储器或I/O接口,向CPU传送数据。 (3)T4的下降沿,CPU对数据总线采样。

三态透明锁存器指芯片具有三态输出能力。当G有效,允许数据输出,否则不允许。当地址输出端DE*无效,说明不允许CPU向总线输出地址。

数据收发器指向两个方向驱动数据。74LS245的G*标示输出控制端,DIR标示方向控制端。

(1)8086是真正的16位微处理器。8088的数据总线只有8位; (2)8086指令队列长度为4字节,8088为6字节;

(3)最小组态下,8088选择访问对象的信号为IO/M*,8086为M/IO*

(4)8086数据存储按照16位数据宽度组织,由奇偶两个对称的存储器组织,提高访问效率。

第五章

解:

主存的作用:保存正在使用的、处于活动状态的程序和数据。

辅存的作用:长期保存程序文件和数据文件,在需要时将这些文件调入RAM内存并激活使用。

cache的作用:提高对存储器的访问速度。

虚拟存储:由容量较小的主存和容量较大的辅存构成,其目标是扩大程序员眼中的主存容量。

区别:通过存储器访问指令用户可对主存进行随机访问;用户利用操作系统提供的用户命令和功能调用对辅存进行访问。

在半导体存储器中,RAM指的是 随机存取存储器 ,他可读可写,但断电后信息一般会 丢失 ;而ROM指的是 只读存储器 ,正常工作时只能从中 读取 信息,但断电后信息 不会丢失 。以EPROM芯片2764为例,其存储容量为8K×8位,共有 8 条数据线和 13 条地址线。用它组成64KB的ROM存储区共需 8 片2764芯片。

解:

双译码方式使得地址译码器的输出线的数目大为减少,使得芯片设计得时候复杂度就低了。

地址线A9~A0

4根数据线I/O4~I/O1

片选CS* 读写WE*

解:

假想的RAM有12根地址线、4根数据线

片选端CS*或CE*:有效时,可以对该芯片进行读写操作,通过对系统高位地址线的译码来选中各个存储芯片

输出OE*:控制读操作。有效时,芯片内数据输出,该控制端对应系统的读控制线MEMR*(MRDC*)

写WE*:控制写操作。有效时,数据进入芯片中,该控制端对应系统的写控制线MEMW*(MWTC*)

解:

位片结构:每个存储单元具有一个唯一的地址,可存储1位。(4116) 字片结构:每个存储单元具有一个唯一的地址,可存储多位。(2114)

解: SRAM DRAM NVRAM

组成单元 触发器 极间电容 带微型电池

速度 快 慢 慢

集成度 低 高 低

应用 小容量系统 大容量系统 小容量非易失

掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改 PROM:允许一次编程,此后不可更改

EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程

EEPROM(E2PROM):采用加电方法在 线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash Memory(闪存):能够快速擦写的EEPROM,但只能按块(Block)擦除 解:

位扩充——存储器芯片数据位数小于主机数据线数时,利用多个存储器芯片在数据“位”方向的扩充;

地址扩充(字扩充)——当一个存储器芯片不能满足系统存储容量时,利用多个存储器芯片在“地址”方向的扩充

组成32KB存储空间,用SRAM 2114(1K×4)需要64个芯片; 组成32KB存储空间,用DRAM 4116(16K×1)需要16个芯片; 它们都需要进行位扩充和地址扩充

解:

片选信号说明该存储器芯片是否被选中正常工作,设置它可以比较方便地实现多个存储器芯片组成大容量的存储空间

存储器片选信号通常与CPU地址总线的高位地址线相关联,可以采用“全译码”、“部分译码”、“线选译码”方式 采用全译码方式可以避免地址重复 采用部分或线选译码可以节省译码硬件

解:

24=16

解:

解:

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