C、反向漏电流大，反向击穿电压高 D、反向漏电流大，反向击穿电压低 11、在 单 相 半 波 整 流 电 路 中， 所 用 整 流 二 极 管 的 数 量 是 。
A、四 只 B、三只 C、二 只 D、一 只
12、在 整 流 电 路 中 ， 设 整 流 电 流 平 均 值 为I0， 则 流 过 每 只 二 极 管 的 电 流 平 均 值 ID?I0 的 电 路 是 。
A、单 相 桥 式 整 流 电 路 B、单 相 半 波 整 流 电 C、单 相 全 波 整 流 电 路 D、以上都不行 13、问以下哪种情况中，二极管会导通 。
A、 B、
C、 D、14、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用 。
A、直流电压挡量程5V B、直流电流挡量程100mA C、交流电压挡量程10V D、电阻挡量程R×100
15、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为 。
A、该管已坏 B、万用表各挡有差异 C、二极管的电阻可变 D、二极管的伏安特性是非线性 16、集成稳压电源CW7812的输出稳定电压为 。
A 、12V B、 -12V C、 2V D、 -2V 17、单向晶闸管是一种可控制的单向导电开关，常用于 的各类电路中。 A、强电控制弱电 B、弱电控制强电 C、对弱信号进行放大 D、对强信号进行放大fs 18、串联型稳压电路中输出电压调整器件是 。
A、稳压二极管 B、三极管 C、场效应管 D、集成运放 19、晶体三极管处于放大区必须具备的条件是：（1）________；（2）________（ ） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏，集电结正偏
C、发射极正偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏 20、硅材料二极管导通电压约为_______，锗材料的约为_______（ ） A、06～0.8V，0.1～0.2V B、0.6～0.8V，0.2 ～0.3V
C、0.6～0.7V，0.1～0.2V D、0.6～0.7V，0.2～0.3V
二、判断题（每题1分，共30分）
1、集成电路的特点是可靠性高、寿命长；专用性强、使用方便；体积小、功能多。（ ） 2、晶体三极管处于放大区必须具备的条件是发射结正偏和集电结反偏。 （ ） 3、装有磁芯或铁芯的线圈比空心线圈的电感量小。 （ ） 4、晶体三极管是电流控制型器件。 （ ） 5、 话筒是将电信号转换为声音信号的电声元件。 （ ） 6、为了减轻信号源的负担并保证输出电压稳定，放大器应采用的反馈类型是电压并联负反馈。（ ）
7、共集电路由于AVf ≤1,故没有反馈。（ ） 8、一个正反馈放大器就能产生正弦波振荡（ ） 9、使用万用表也可直接测出振荡器的频率（ ）
10、振荡电路与放大电路的主要区别之一是：放大电路的输出信号与输入信号频率相同，而振荡电路一般不需要输入信号。（ ）
11、电路满足相位平衡条件，且AF=1，则可产生自激振荡。（ ） 12、只要具有正反馈，就能产生自激振荡。（ ）
13、对于正弦波电路而言，只要不满足相位平衡条件，即使放大电路的放大倍数很大，它也不可能产生正弦波振荡。（ ）
14、功率放大倍数AP＞1，即Au和Ai都大于1。( )
15、功放电路与电压、电流放大电路都有功率放大作用。( ) 16、输出功率越大,功放电路的效率就越高。( )
17、功放电路负截上获得的输出功率包括直流功率和交流功率两部分。( ) 18、在三极管的输出特性曲线中，IB=0时的IC即为ICEO。（ ） 19、若Ue>Ub>Uc,则电路处于放大状态，该三极管必为NPN管。（ ） 20、可利用三极管的一个PN结代替同材料的二极管。（ ） 21、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而下降。（ ）
22、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（ ） 23、晶体三极管为电压控制型器件。（ ）
24、用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管的二个PN结均开路。（ ） 25、在基本放大电路中，如果静态工作点过低，一出现饱和失真。（ ）
26、正弦信号经共射放大器放大后出现上半周失真，表明偏置电阻RB的阻值太大。（ ）
27、当集电极电流IC值大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管一定损坏。（ ） 28、在基本共发射极放大电路中，当UCC增大时，若电路其他参数不变，则电压放大倍数应增大。（ ）
29、NPN型和PNP型晶体管的区别是不但其结构不同，而且它们的工作原理也不同。（ ） 30、晶体管具有放大作用。（ ）
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