25、单相桥式全控整流电路负载为纯电阻，输出电压的平均值Vd=54伏，当控制角α= 60°时,试求:整流变压器副边电压有效值V2。
模拟电子技术试卷八
一、填空或选择填空（能采用惯用的符号表示时，应采用符号填空）
1．PN结最主要的电特性是（ ）。
2．根据器件的工作原理，双极型三极管属于（ ）控制型器件，而场效应三极管属于（ ） 控制型器件。
3．说明双极型三极管具有放大作用的参数可用（ ）表示；场效应三极管具有放大作用的参数可用（ ）表示。
4．共基组态基本放大电路的输入电极是（ ），输出电极是（ ）。
5．增强型场效应三极管可以采用（分压偏置、自给偏压 ）偏置电路；而耗尽型场效应三极管可以采用（分压偏置、自给偏压 ）偏置电路。
6．差分放大电路有一个输入端加入1V的信号，另外一个输入端加入3V的信号，这相当该差分放大电路加入（ ）的差模信号，加入（ ）共模信号。
7．差分放大电路加入差模信号时，两三极管（ ）相等；两三极管的（ ）的变化量相等，两三极管发射极电流IRe（ ）。 8．图1所示互补功率放大电路，已知VCC= ?12V，RL=8?，ui为正弦电压信号，试回答：
①V1，V2工作在什么类工作状态。（ ）
②忽略V1，V2的饱和压降，负载上能得到的最大输出功率（ ）。 ③每个三极管的最大管耗是多少？（ ）
④在输出信号过0轴时存在什么失真？（ ） ⑤为克服上一项的失真，应使三极管工作在什么状态？（ ）
图1
二、电路如图2所示，三极管的?=99、UBE=0.7V、rbb?=300?，试问： 1 ．由几级放大电路组成？ 2．什么耦合方式？有什么特点？
3．写出
?U?Au1?o??Ui、ri1和ro2 的表达式，并计算数值，要求步骤清楚。
VCC=12VC1Rs1kΩus51k?Rb15.1k?3.9k?Rc1Re2100?FCe22?FVT1100?FVTCe2Rb2Re120k?2.7k?Rc2?uo?4.3k?
图2
三、提出能够实现下列波形变换的电路，画出其电路图。 1. 输入为幅度Uim=5V，1000Hz的正弦波，见图3(a)；
2. 第一步将正弦波变换为方波，输出幅度Uom= ?5V，见图3(b)；
3. 方波的周期与输入的正弦波一致，但Uom= +5V部分的宽度tw可以增加或减小，当然Uom= -5V部分的宽度随之向相反方向改变，见图3(c)； 4. 方波的可以在Y轴方向上下移动，见图3(d)。
ui¨a￡￡?O2|D|D3|D5V?t4|D|uO15V￡¨￡b?O|?t?5VuO15V¨￡c?￡Otw?|t?5VuO2tw¨￡d?￡10VO|?t
图3
四、图4电路中A1 、A2为理想运放，判断反馈类型，并求输出uo的表达式。
图4
五、用理想运算放大器实现下列运算关系，其中一个电阻为R=10k?，其它电阻用相对值表示，电容器的初始电压为0。
uo?10?ui1dt?4ui2?3ui3
模拟电子技术试卷九
一、填空题（20分）
1.本征半导体是 ，载流子的浓度 (相等，不等)。 2.二极管的最主要特征是 。
3.放大电路的通带宽BW= ，多级放大电路的通频带比其中各个单级放大电路通频带 （宽、窄）。 4.乙类功放电路如图1所示。已知
VCC?12V，RL?8?，VCES?0，vi为正弦电压，则负载上可
能得到的最大输出功率为 ；每个管子的管耗至少应为 。
?VCCT1viT2RL?VCC
图1
5．当温度升高时，双极性三极管的β将 （增加，减小），反向饱和电流ICEO （增加，减小），正向结压降UBE （增加，减小），晶体管的共射输入特性曲线将 （左移，右移），输出特性曲线将 （上移，下移），而且输出特性曲线之间的间隔将 （变大，变小）。 6．共模抑制比KCMR是 之比，KCMR越大，表明电路 。
7．双极型晶体管（BJT）和场效应管（MOSFET）比较，有下述说法，请在正确的说法后面画“?”，错误的说法后面画“?”。
（1）BJT有两种载流子参与导电，MOSFET只有一种（ ） （2）BJT属电压控制型器件，MOSFET属电流控制型（ ） （3）BJT的热稳定性好于MOSFET的热稳定性（ ）
（4）两者在开关过程中都需要时间，在同样的工作电流下，BJT的开关速度快于MOSFET（ ）
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