第一章+半导体二极管及其应用-自测题

第一章 半导体二极管及其应用

1．本征半导体中的自由电子浓度_________空穴浓度 (a)大于 (b)小于 (c)等于

2．在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于_________。 (a) 温度 (b) 材料 (c) 掺杂浓度

3．在掺杂半导体中，少子的浓度受_________的影响很大。 (a) 温度 (b) 掺杂工艺 (c) 掺杂浓度

4．在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越_________。 (a) 高 (b) 低 (c) 不变 5．N型半导体_________ 。

(a) 带正电 (b)带负电 (c)呈中性 6．温度升高N型半导体的电阻率将_________ 。 (a) 增大 (b) 减小 (c) 不变 7． 当PN结正向偏置时，耗尽层将_________。 (a) 不变 (b) 变宽小于 (c) 变窄

8．当环境温度升高时，二极管的正向电压将_________。 (a) 升高 (b) 降低 (c) 不变

9．当环境温度升高时，二极管的死区电压将_________。 (a) 升高 (b) 降低 (c) 不变

10．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将_________。 (a) 增大 (b) 减小 (c) 不变

11．二极管的正向电压降一般具有_________温度系数。 (a) 正 (b) 负 (c) 零

12．确保二极管安全工作的两个主要参数分别是_________和_________。 (a) UD ，IF (b) IF ，IS (c) IF，UR 13．理想二极管的主要性能指标为_________。

(a) UD=0 ，IR =0, (b) UD=0.3V ，IR =0 (c) UD=0.5V ，IR =Is 14．稳压管通常工作于_________，来稳定直流输出电压。 (a) 截止区 (b) 正向导通区 (c) 反向击穿区

15．对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将_________。 (a) 升高 (b) 降低 (c) 不变

16．二极管的反偏电压升高，其结电容_________。 (a) 增大 (b) 减小 (c) 不变

17．二极管正向偏置时，其结电容主要是_________。 (a) 势垒电容 (b) 扩散电容 (c) 无法判断 18．锗二极管的死区电压约为_________。 (a) 0.1V (b) 0.2V (c) 0.3V

19．硅二极管的完全导通后的管压降约为_________。 (a) 0.3V (b) 0.5V (c) 0.7V

20．由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越_________。 (a) 大 (b) 小 (c) 不变

21．二极管的伏安特性可以表示为_________。

(a) (b) (c)

22．已知二极管的静态工作点UD和ID，则二极管的静态电阻为_________。 (a) UD/ID (b) UT/ID (c) UD/IS

23．已知二极管的静态工作点UD和ID，则二极管的动态电阻为_________。

(a) (b) (c)

时，正向电流

。若

增大到0.66V，则电流

24． 一个硅二极管在正向电压

约为_________。

(a) 11mA (b) 20mA (c) 100mA

25 如图所示电路中，已知电源电压E=4V时， I=1mA 。那么当电源电压E=8V时,电流I的大小将是_________

(a) I=1mA (b) I<1mA (c) I>1mA

(26.在上题图示电路中，若E=8V，当温度为10℃时测得二极管的管压降为uD=0.7V,当温度上升到40℃时，则uD大小为_________。 (a) uD=0.7V (b) uD<0.7V (c) uD>0.7V