描述：
1LN1F28 是新一代的高性能、高集成度电流模式PSR 功率开关集成电路，可以方便地在高达 40W
的应用中构建满足 CoC V5 及 DoE LEVEL VI 等能效标准的低待机功耗、高转换效率、高性能的 PSR 初级侧 CC/CV 开关电源解决方案。芯片内置高精度恒流恒压控制并具有优化的谷底开关技术，可在 全范围提供优于 ±3% 精度的输出电流误差和 ±2% 精度的输出电压误差。
LN1F26 是新一代的高性能、高集成度电流模式PSR 功率开关集成电路，可以方便地在高达 30W
的应用中构建满足 CoC V5 及 DoE LEVEL VI 等能效标准的低待机功耗、高转换效率、高性能的 PSR 初级侧 CC/CV 开关电源解决方案。芯片内置高精度恒流恒压控制并具有优化的谷底开关技术，可在 全范围提供优于 ±3% 精度的输出电流误差和 ±2% 精度的输出电压误差。
LN1F25 是新一代的高性能、高集成度电流模式PSR 功率开关集成电路，可以方便地在高达 24W 的应用中构建满足 CoC V5 及 DoE LEVEL VI 等能效标准的低待机功耗、高转换效率、高性能的 PSR 初级侧 CC/CV 开关电源解决方案。芯片内置高精度恒流恒压控制并具有优化的谷底开关技术，可在 全范围提供优于 ±3% 精度的输出电流误差和 ±2% 精度的输出电压误差。
高性能初级侧恒压恒流反激电源功率开关集成电路
主要特性
TM
系统可工作在接近临界导通模式从而提高变压器
的利用率，远优于传统的 PSR 控制器架构。 具有 PWM/PFM/PBM 模式多段曲线控制的工作方 式可进一步优化系统在不同负载下的转换效率，尤 其是轻负载时的转换效率，极轻负载条件下还将自 动锁定峰值电流阈值从而保持高效的转换，分段的 调制方式设计使得系统具有高转换效率的同时有 效避免人耳可听见的音频噪声出现，待机功耗则得 以低至 50mW 以下。
低频率启动特性可在每次开机和系统重置时自 动工作一次，从而优化启动特性并有效降低开关机 时对高压功率开关的冲击，具有软钳位的栅极驱动 控制则进一步解除了高供电条件下 MOSFET 的驱 动过压风险，同时主动栅极斜率控制则显著优化了 开关干扰水平，配合力生美专用于 PSR 架构的新 一代周期回转技术使系统具有极佳的 EMI 特性。 芯片还可通过专门设置的线性输出线缆压降补 偿调节引脚进一步对输出电压降进行实时补偿，从 而提高负载条件下的输出电压精度，保持负载端精 LN1F28 还提供了非常完善的具有自动恢复功能 的保护电路，包括逐周期电流限制（OCP）、具有 高低压补偿功能的输出过流保护（OCP）、VDD 过 压保护与欠压锁定功能（UVLO）.
可提供满足 RoHs 要求的 TSIP7 环保封装。
u内置 TruePSR高精度采样技术 u 内置 650V 高压 NMOSFET 开关 u 全电压最大输出功率可达 40W u 精确初级侧稳压 精度优于 2% u 精确初级侧恒流 精度优于 3% u 可外部电阻调节的输出线补功能 u 低开关损耗的全程 QR 谷底开关 u 低待机高能效满足 CoC&DoE 要求 u 无负载待机功耗低至 50mW 以下
TM
u 内置 CT-PSR主动周期回转技术 u 低频启动特性控制优化开机性能 u 带软钳位高可靠低 EMI 栅极驱动 u 内置输出过压、短路和过载保护 u 优化的全范围无音频噪音工作方式 u 使用高功率容量的 TSIP7 封装形式
应用领域
2 2 2 2
手机充电器 电源适配器 电池充电器 敞开式电源
确的电压不受负载变化的影响。
概述
LN1F28 是新一代的高性能、高集成度电流模式 PSR 功率开关集成电路，可以方便地在高达 40W 的应用中构建满足 CoC V5 及 DoE LEVEL VI 等能 效标准的低待机功耗、高转换效率、高性能的 PSR 初级侧 CC/CV 开关电源解决方案。芯片内置高精 度恒流恒压控制并具有优化的谷底开关技术，可在 全范围提供优于 ±3% 精度的输出电流误差和 ± 2% 精度的输出电压误差。
最高达 70kHz 的开关频率允许使用相对较小的 变压器尺寸完成设计，同时极小的死区时间控制使
Fig1. 典型连接图
应用电路原理图（input：90~265Vac，output：5V 6A）
Fig6. 典型应用原理图
封装信息
TSIP7
Fig7. 封装外形尺寸图（mm）
订购信息
型号 LN1F28
输出功率 40W
功率管耐压 650V
封装 TSIP7
包装方式 45PCS/TUBE
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