电子线路基础1.5.2 绝缘栅场效应管绝缘栅型场效应管: 利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道的宽窄来控制电流的大小。MOS管: 绝缘栅场效应管中，常用二氧化硅(SiO2)作为金属(铝)栅极和半导体之间的绝缘层，又称为金属—氧化物—半导体场效应管。MOS管有N沟道和P沟道两类，而每一类又分增强型和耗尽型两种。2015/12/1613
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电子线路基础1．N沟道增强型MOS场效应管源极(S)、漏极(D):用P型硅片作为衬底，其中扩散两个N+区，并的引出电极；栅极(G)：半导体表面覆盖SiO2绝缘层，绝缘层上再在源区和漏区之间制造的一层金属铝。2015/12/1614hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础2．工作原理1）uGS?UGS(th)，uDS?0。反型层：绝缘层下面D、S之间形成的N型导电沟道。开启电压：开始形成反型层时的电压。2015/12/1615hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础2）uGS?UGS(th)，uDS增大。在作用下，形成漏极电流iD。导电沟道为梯形; 2015/12/1616hongfeng@nuaa.edu.cn
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