第三章预习要点
1， 物理气相沉积与化学气相沉积个有什么特点，它们的区别是什么？
沉积过程中若沉积粒子来源于化合物的气相分解反应，则称为化学气相沉积（CVD）；
否则称为物理气相沉积（PVD）。
．CVD（化学）的特点
（1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体。
（2）可以在大气压（常压）或者低于大气压下（低压）进行沉积。一般来说低压效果要好些。
（3）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
（4）镀层的化学成分可以改变，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。 （5）可以控制镀层的密度和纯度。
（6）绕镀性好，可在复杂形状的基体上以及颗料材料上镀制。
（7）气流条件通常是层流的，在基体表面形成厚的边界层。
（8）沉积层通常具有柱状晶结构，不耐弯曲。但通过各种技术对化学反应进行气相扰动，可以得到细晶粒的等轴沉积层。
（9）可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物镀层。
工艺温度高低是CVD和PVD之间的主要区别 。
CVD工艺对进入反应器工件的清洁要求比PVD工艺低一些，因为附着在工件表面的一些脏东西很容易在高温下烧掉。此外，高温下得到的镀层结合强度要更好些
CVD镀层往往比各种PVD镀层略厚一些， CVD镀层往往厚度在5-300μm左右， PVD镀层通常不到5μm厚。
CVD镀层的表面略比基体的表面粗糙些。
相反，PVD镀膜如实地反映材料的表面，不用研磨就具有很好的金属光泽，
CVD反应发生在低真空的气态环境中，具有很好的绕镀性，所以密封在CVD反应器中的所有工件，除去支承点之外，全部表面都能完全镀好，甚至深孔、内壁也可镀上。
相对而论，所有的PVD技术由于气压较低，绕镀性较差，因此工件背面和侧面的镀制效果不理想。
PVD的反应器必须减少装载密度以避免形成阴影，而且装卡、固定比较复杂。 在PVD反应器中，通常工件要不停地转动，并且有时还需要边转边往复运动。
2， 蒸镀的原理是什么？蒸镀铝膜，有哪些用途？ 1．蒸镀原理
和液体一样，固体在任何温度下也或多或少地气化（升华），形成该物质的蒸气。
在高真空中，将镀料加热到高温，相应温度下的饱和蒸气向上散发，蒸发原子在各个方向的通量并不相等。基片设在蒸气源的上方阻挡蒸气流，蒸气则在其上形成凝固膜。为了弥补凝固的蒸气，蒸发源要以一定的比例供给蒸气。
用途；目前在制镜工业中已经广泛采用蒸镀，以铝代银，节约贵重金属。 集成电路是镀铝进行金属化，然后再刻蚀出导线。 在聚酯薄膜上镀铝具有多种用途：
制造小体积的电容器；
制作防止紫外线照射的食品软包装袋； 经阳极氧化和着色后即得色彩鲜艳的装饰膜。
双面蒸镀铝的薄钢板可代替镀锡的马口铁制造罐头盒。
3，溅射镀膜的基本原理是什么？目前有哪些种类？
溅射镀膜：是指在真空室中，利用荷能粒子轰击镀料表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。 溅射镀膜有两种：
一种是在真空室中，利用离子束轰击靶表面，使溅射出的粒子在基片表面成膜，这称为离子束溅射。
离子束要由特制的离子源产生，离子源结构较为复杂，价格较贵，只是在用于分析技术和制取特殊的薄膜时才采用离子束溅射。
另一种是在真空室中，利用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶表面，并使溅射出的粒子堆积在基片上。
离子溅射（1）直流二极溅射（2）三极和四极溅射（3）射频溅射（4）磁控溅射（5）合金膜的镀制（6）化合物膜的镀制（7）离子束溅射 第三章作业
1)，溅射镀膜的基本原理是什么？目前有哪些种类？
溅射镀膜：是指在真空室中，利用荷能粒子轰击镀料表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。
溅射镀膜有两种：
一种是在真空室中，利用离子束轰击靶表面，使溅射出的粒子在基片表面成膜，这称为离子束溅射。
离子束要由特制的离子源产生，离子源结构较为复杂，价格较贵，只是在用于分析技术和制取特殊的薄膜时才采用离子束溅射。
另一种是在真空室中，利用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶表面，并使溅射出的粒子堆积在基片上。
离子溅射（1）直流二极溅射（2）三极和四极溅射（3）射频溅射（4）磁控溅射（5） 对象靶溅射（6）偏压溅射（7）离子束溅射 (8)反应溅射
2)，薄膜/涂层的三种生长模式及其形成原因
? 岛状生长模式：(不存在任何对形核有促进作用的有利位置) ? 被沉积的物质与基底之间的润湿性差，倾向于自己相互键合
? 层状生长模式：被沉积的物质与基底之间的润湿性很好，没有明确的形核阶段，从形核阶段开始就采取二维扩展模式——外延式
? 层状——岛状生长模式：开始1两个原子层层状生长后，生长模式由层状转化为岛状模式
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