畸变的新的等轴晶粒， 位错密度显著下降， 性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平，称为（一次）再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长大的过程。
二次再结晶： 经过剧烈冷变形的某些金属材料， 在较高温度下退火时， 会出现反常的晶粒长大现象， 即少数晶粒具有特别大的长大能力， 逐步吞食掉周围的小晶粒，其最终尺寸超过原始晶粒的几十倍或上百倍， 比临界变形后的再结晶晶粒还要粗大得多， 这个过程称为二次再结晶。 二次再结晶并不是晶粒重新形核和长大的过程，它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而异常长大， 严格来说它是特殊条件下的晶粒长大过程，并非是再结晶过程。
本质区别：是否有新的形核晶粒。
2、 再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
定义
再结晶晶核长大： 是指再结晶晶核形成后长大至再结晶初始晶粒的过程。 其长大驱动力是新晶粒与周围变形基体的畸变能差，促使晶核界面向畸变区域推
进，界面移动的方向， 也就是晶粒长大的方向总是远离界面曲率中心， 直至所有畸变晶粒被新的无畸变晶粒代替。
再结晶后的晶粒长大： 是指再结晶晶核长大成再结晶初始晶粒后， 当温度继续升高或延长保温时间， 晶粒仍然继续长大的过程。 此时，晶粒长大的驱动力是晶粒长大前后总的界面能的差， 界面移动的方向， 也就是晶粒长大的方向都朝向晶界的曲率中心，直至晶界变成平面状，达到界面能最低的稳定状态。
本质区别：
1、长大驱动力不同
2、长大方向不同，即晶界的移动方向不同。
7-5 分析回复和再结晶阶段空位与位错的变化及其对性能的影响。
答：
回复阶段：
回复：是指冷塑性变形的金属在加热时， 在光学显微组织发生改变前 （即再结晶晶粒形成前）所产生的某些亚结构和性能的变化过程。
空位和位错的变化及对性能的影响：
回复过程中，空位和位错发生运动，从而改变了他
们的数量和组态。
低温回复时，主要涉及空位的运动。 空位可以移至表面、 晶界或位错处消失，也可以聚集形成空位对、 空位群，还可以与间隙原子相互作用而消失， 总之空位运动的结果使空位密度大大减小。 电阻率对空位密度比较敏感， 因此其数值会有显著下降。而力学性能对空位的变化不敏感，没有变化。
中温回复时，主要涉及位错的运动。 由于位错滑移会导致同一滑移面上异号位错合并而相互抵消， 位错密度略有下降， 但降低幅度不大，力学性能变化不大。
高温回复时，主要涉及位错的运动。位错不但可以滑移、而且可以攀移，发生
多边化，使错密度有所降低， 降低系统部分内应力， 从而使硬度、强度略有下降，塑性、韧性得到改善。
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