模拟电子技术基础知识1-6
第一章 半导体器件 填空
1. 弄清半导体基本概念：本证半导体、在杂质半导体、N型半导体、P型半导体、多子、少子、扩散运动、漂移运动。 2. 本征半导体中自由电子浓度（等于）空穴浓度。杂质半导体多数载流子的浓度取决于（杂质浓度）。 N型半导体、P型半导体均（呈中性）。
3. 当PN结正向偏置时，多子扩散运动（大于）少子漂移运动。反向偏置时，多子扩散运动（小于）少子漂移运动。 4. 当PN结正向偏置时，空间电荷区（变窄 ），呈现的电阻性能（变小）。PN结反向偏置时，空间电荷区（变宽 ），呈现的电阻性能（变大）。PN结中的内电场方向是（N区指向P区）。
5. 当PN结正向偏置时，内电场（减弱 ）。当PN结反向偏置时，内电场（增强 ）。
6. 二极管的死区电压（即开启电压）的大小与环境温度及材料有关，硅二极管的死区电压约为（0.5V ）。锗二极管的死区电压约为（0.1V ）。
7. 锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD为（0.2V）。硅管为（0.7v）。
8. 处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是
（UC?UB?UE）。测到三极直流电位，介于中间的为（基
极），与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。 9. 处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是（UE?UB?UC）。测到三极直流电位，介于中间的为（基
极），与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。 10. 测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为2.7V，3V，6.8V；9V，8.3V，2V；－10V，－6V，－6.2V，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极 ）；（发射极，基极，集电极）；（集电极，发射极，基极）。 11. 在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（NPN锗管）。某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为：－10V，－6V，－6.2V， 则该三极管为（PNP锗管）。
12. BJT管是（电流控制电流 ）器件。测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA和3.6mA。则该管的β值为（60）。
13. 某硅半导体三极管各电极对地的电压值为VC＝6V，VB
＝0.7V，VE＝0V，晶体管工作在（放大区）。
14. 某硅半导体三极管各电极对地的电压值为VC＝6V，VB
＝2V，VE＝1.3V，晶体管工作在（放大区）。
15. 当温度升高时，半导体三极管的参数将发生的变化是
（β增加，Iceo增加，UBE减小 ）。温度升高时，BJT的输出特性曲线（上移 ）。
16. 根据晶体管的工作状态不同，可以将输入输出伏-安特性曲线分为(放大区、饱和区、截止区)三个区。 17. 某工作在放大状态的三极管，当基极电流IB由60μA降低到40μA时，集电极电流IC由2.3mA降低到1.5mA，则此三极管的动态电流放大系数β为（40 ）。 18. 晶体管能够放大的内部条件是（发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大 ）。
19. 某晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为（0.98 ）mA。
20. 场效应管是（电压控制电流）器件。
21. N沟道JFET正常工作时，栅极与源极间所加电压的极性为（ 负）。
22. 场效应管的三个工作区域包括（可变电阻区、恒流区、夹断区 ）。
23. N沟道JFET符号为（
）。
24. 对于结型场效应管，栅、源极之间的PN结（必须反偏）。 25. 某场效应管的转移特性如图（耗尽型NMOS）场效应管。
所示，则该管是
26. 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（增大 ）。
27. N沟道增强型MOSFET符号为（ ）
28. MOSFET是利用栅源电压的大小来控制（ 漏极）电流的大小。 判断
1. 半导体导电机理与导体导电机理一样，都是仅仅由于自由电子的定向移动形成。（ N ）
2. 温度对本征半导体的导电性能几乎没有影响。（ N ） 3. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（Y ） 4. 稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。（N ）
5. 半导体共价键中的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子的现象称为本征激发。（Y ） 6. 在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。（Y ） 7. 在本征半导体中掺入少量5价元素杂质，可以构成N型半导体。（Y ）
8. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（Y ）
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