? 存储器访问权限控制。
? 设置虚拟存储空间的缓冲特性等。 4.4两种虚拟存储管理方式(P101):分段方式和分页方式。每种方式都有其特点,分段方式支持较大的、任意的内存区域;分页方式支持较小的、固定大小的内存区域。
4.5 NOR FLASH与NAND FLASH的区别:
? NOR Flash的读取速度比NAND Flash稍快一些,NAND Flash的擦除和写入速度比NOR Flash快很多。
? Flash芯片在写入操作时,需要先进行擦除操作。NAND Flash的擦除单元更小,因此相应的擦除电路更少。 ? 接口方面它们也有差别,NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节,可以像其他SRAM存储器那样与微处理器连接;NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法还各不相同,因此,与微处理器的接口复杂。
? NAND Flash读和写操作采用512字节的块,这一点类似硬盘管理操作,很自然地,基于NAND Flash的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 4.6 SDRAM与SRAM的区别:
SRAM:静态RAM,不用刷新,速度非常快,价格昂贵,容量小,一般地址线不复用。
SDRAM:同步动态RAM,需要刷新,速度相对SRAM较慢,容量较大,一般地址线复用。
4.7 S3C2410存储空间分配图(P114):
0号存储块可以外接SRAM类型的存储器或者具有SRAM接口特性的ROM存储器(如NOR Flash),其数据总线宽度应设定为16位或32位中的一种。当0号存储块作为ROM区,完成引导装入工作时(从0x00000000启动),0号存储
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块的总线宽度应在第一次访问ROM前根据OM1、OM0在复位时的逻辑组合来确定
1号存储块到5号存储块也可以外接SRAM类型的存储器或者具有SRAM接口特性的ROM存储器(如NOR Flash),其数据总线宽度应设定为8位、16位或32位。
6号存储块、7号存储块可以外接SDRAM类型的存储器,它们的块容量可改变,且7号存储块的起始地址也可改变。 4.8 SDRAM存储器接口(P121):
上图是存储容量为64MB的SDRAM接口电路图。注意:芯片内部的4 bank不是指该芯片需要占用S3C2410芯片的4个存储块,而是指HY57V561620芯片内部把32MB容量分成了4块存储区,每块存储区的容量为4M×16 bit。从图中可以看出,该存储器的nCS(既/CS)由S3C2410芯片的nSCS0引脚控制,因此,它占用了S3C2410芯片的6号存储块。实际占用地址空间为0x30000000 ~ 0x33ffffff 4.9 NOR Flash存储器接口(P125):
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上图是以32MB容量的NOR Flash芯片E28F320J3为例的存储器接口电路。由于E28F320J3是16位的数据宽度,地址是半字对准的,因此该芯片的地址线A0始终接地。
4.10 NAND Flash存储器接口(P122):
上图是以K9F6408芯片为例的NAND Flash接口电路,方框内部的符号表示K9F6408芯片的引脚信号,外部符号表示是所连接的S3C2410芯片的信号线。 4.11 为什么把boot SRAM这一块移至地址的最低端?:因为当S3C2410被配置成从NAND FLASH启动时,CPU无法直接访问NAND FLASH,S3C2410的NAND FLASH控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,NAND FLASH控制器会自动把NAND FLASH上的前4K数据搬移到4K内部SRAM中, CPU从内部SRAM的0x0000 0000位置开始启动。由于NAND FLASH控制器从NAND FLASH中搬移到内部SRAM的代码是有限的,所以在启动代码前4K里,我们必须完成S3C2410的核心配置以把启动代码剩余部分搬到SDRAM中运行。因此需要把boot SRAM这一块移至地址的最低端。 五. 中断机制
5.1 中断方式控制的I/O操作步骤(P127):
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? 初始化微处理器中用于中断方式的寄存器,开放中断。 ? I/O端口或部件完成数据操作后并产生中断请求信号。
? 当中断请求信号有效时,微处理器可能处在不可中断状态。等到微处理
器允许中断时,微处理器就保存当前状态,停止它现行的操作并开始进行中断源的识别。
? 在识别出优先级最高的中断源后,微处理器转到对应的中断服务例程入
口,并应答中断,I/O端口或部件收到应答信号后,撤消其中断请求。 ? 微处理器读入或写出数据,当中断服务例程结束后,回到原来的被中断
程序处继续执行。
5.2 S3C2410的中断系统逻辑图(P133):
5.3 S3C2410中断控制的机制:
5.4 中断控制寄存器:
1. 源未决寄存器(P134)
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