SiC器件单粒子效应敏感性分析 - 论文 

　第５３卷第１０期　２０１９年１０月

原子能科学技术

AtomicEnercienceandTechnologySgy

Vol．５３,No．１０

Oct．２０１９

SiC器件单粒子效应敏感性分析

２２２２

,,,,于庆奎１,曹　爽１,张洪伟１,梅　博１,孙　毅１,王　贺１,

２２２２,,,李晓亮１,吕　贺１,李鹏伟１,唐　民１,

()中国空间技术研究院,北京　１国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京　１１．０００２９;２．０００２９

摘要:新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第３代半导体S为了给器件选用和抗辐射iC器件,

设计提供依据,以S进行单粒子效应敏感性分析.重离子试验发现,iCMOSFET和SiC二极管为对象,与器件类型关系不大,MOSFET和SiC二极管试验结果类似.试验结果表明SiC器件抗单粒子能力弱,与S有必要进一步开展S试验方法和器件iC材料有关.为了满足空间应用需求,iC器件辐射效应机理、加固技术等研究.

关键词:碳化硅;空间;航天器;辐射效应;单粒子效应;单粒子烧毁:/doi１０．７５３８zk．２０１９．５３．１０．２１１４y

()中图分类号:TN４０６;V４１６．５　　　文献标志码:A　　　文章编号:１０００Ｇ６９３１２０１９１０Ｇ２１１４Ｇ０６在较低电压下,重离子会在S引起漏电流增加,甚至单粒子烧毁.SiC器件内部产生永久损伤,iC

SinleEventEffectSensitivitnalsisofSiCDevicegyAy

１,２１１,２１,２１,２

,,ME,,YUQinkuiCAOShuanZHANGHonweiIBoSUNYigg,g１１,２１,２１,２１,２,,,WANGHeLIXiaolianLYUHeLIPenweiTANGMing,g

２．NationalInnovationCenteroadiationAlication,Beiin０００２９,China)fRppjg１

(１．ChinaAcademaceTechnoloBeiin０００２９,China;yofSpgy,jg１

sacecraft．ToprovidethebasisdataforSiCdeviceselectionandradiationhardnessp

,assuranceforsacecraftthesensitivitfsinleeventeffect(SEE)onSiCdeviceswaspyog/resultinnincreasinfleakaecurrentandorsinleeventburnout(SEB)．Thegigogg

oeratinoltaeandlowpowerdissiationareidealcandidatesfornewgenerationpgvgp

:AbstracthethirdgenerationsemiconductorSiCdeviceswiththeadvantaesofhih　Tgg

analzed．HeavionexerimentswerecarriedoutwithSiCMOSFETandSiCdiodes．yyp

,PermanentdamaeinSiCdevicesbiasedatlowervoltaeswascausedbeavonsggyhyi

similarresultswereobservedforbothSiCMOSFETandSiCdiodes．Theexerimentp

resultshowsthattheSiCdeviceissensitivetoSEE,whichisindeendentoftheteofpypdevicesandrelatestoSiCmaterial．Morestudiesonradiationeffectmechanism,exeriＧpmentmethodanddeviceradiationhardnesstechnoloorSiCareneededforsacegyfpalications．pp

收稿日期:修回日期:２０１９Ｇ０４Ｇ２８;２０１９Ｇ０６Ｇ１９

)基金项目:国家自然科学基金资助项目(１１８７５０６８,１１４７５２５６

,作者简介:于庆奎(男,山东烟台人,研究员,宇航元器件工程专业１９６４—)