漏穿通电压＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 （源结的击穿电压；漏结的击穿电压；栅氧化层的耐压；源-漏穿通电压）。
（27）MOSFET的亚阈状态是＿不出现＿沟道的一种工作模式（出现；不出现）；亚阈电流与栅极电压之间＿有指数＿＿关系（有指数；有线性；没有）。
（28）限制着小尺寸MOSFET进一步缩小尺寸的DIBL效应，将使得漏极电流＿增大＿，和使得阈值电压＿减小＿＿。（增大；减小；不变）
（29）小尺寸MOSFET的LDD（轻掺杂漏区）结构，其主要特点是可防止＿热电子效应＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 （短沟道效应；热电子效应；源-漏穿通效应）
（30）浮置栅雪崩注入MOS（FAMOS）器件和叠栅雪崩注入MOS（SAMOS）器件都是利用＿＿＿＿＿沟道雪崩注入效应＿＿＿＿＿＿＿来工作的一种存贮器件。 （雪崩击穿效应；沟道雪崩注入效应；载流子速度饱和效应）
（31）双极型集成电路中器件的缩小规则适宜于采用＿恒定电压(CV)缩小规则＿＿,而MOS-VLSI数字集成电路中器件的缩小规则适宜于采用＿＿＿恒定亚阈特性缩小规则＿＿＿＿＿。 （恒定电场(CE)缩小规则；恒定电压(CV)缩小规则；恒定亚阈特性缩小规则） （32）对于CMOS-E/E静态反向器，最低电平是＿地电位＿＿＿，最高电平是＿电源电压＿＿。 （电源电压；地电位；电源电压减去阈值电压；电源电压减去栅-源电压） （33）CMOS反向器的逻辑阈值电压一般选取为电源电压的一半＿（电源电压；电源电压的一半；驱动管的阈值电压）；在这时驱动管和负载管都处于饱和状态＿＿状态（截止状态；饱和状态；放大状态）。
（34）对于CMOS，采用SOI衬底的最大好处之一是＿＿＿可有效地消除“自锁”效应＿＿＿＿＿＿＿。 （可有效地消除“自锁”效应；可防止热电子效应；可提高击穿电压） （35）对于VLSI中的小尺寸MOSFET，其沟道区域一般都需要进行掺杂，它的目的主要是＿＿防止源-漏穿通和控制阈值电压＿＿＿＿＿＿。 （消除热电子效应；防止源-漏穿通；控制阈值电压；减弱短沟道效应）
（36）实际短沟道MOSFET的输出伏安特性曲线，在饱和区的电流并不饱和，其主要原因是＿＿＿DIBL效应和沟道长度调制效应＿＿＿。 （DIBL效应；沟道长度调制效应；速度饱和效应：热载流子效应）
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（三） 复习思考题：
1.空间电荷区是怎样形成的。画出零偏与反偏状态下pn结的能带图。
2.为什么反偏状态下的pn结存在电容？为什么随着反偏电压的增加，势垒电容反而下降？ 3.什么是单边突变结？为什么pn结低掺杂一侧的空间电荷区较宽？ 4.对于突变p+-n结，分别示意地画出其中的电场分布曲线和能带图： ①热平衡状态时；②加有正向电压时；③加有反向电压时。 5.画出正偏时pn结的稳态少子浓度分布图。 6.画出正偏pn结二极管的电子和空穴电流图。
7.解释pn结二极管扩散电容形成的机制；解释产生电流和复合电流的形成机制。 8.什么是存储时间？
9.为什么随着掺杂浓度的增大，击穿电压反而下降？
10.画出有偏压时理想金属半导体结的能带图，在图上标出肖特基势垒。 11.比较肖特基二极管和pn结二极管正偏时的I-V特性。 12.什么是异质结？
13. 对于n+pn晶体管（基区宽度<<少数载流子扩散长度），分别示意画出其中各个区域中的少数载流子浓度的分布曲线：
①正向放大工作状态；②截止状态；③临界饱和状态；④深饱和状态。
14共基极电流增益的三个限制因素（发射极注入效率系数、基区输运系数和复合系数）的定义和对共基极电流增益的影响。
15.什么是基区宽度调制效应？该效应的另一个称呼是什么？ 16.什么是大注入效应？
17.晶体管的截止频率是如何定义的？限制双极型晶体管的频率响应的延时因素有那些？ 18.大致绘出p沟道pnJFET的截面图，标明器件工作时的电压极性。 19.定性阐述n沟道耗尽型pnJFET的基本工作原理。
20.分别绘出工作在堆积、耗尽和反型模式下的n型衬底MOS电容的能带图。 21.为什么当反型层形成时MOS电容器的空间电荷区认为达到最大宽度？ 22.绘出低频时n型衬底MOS电容器的C-V特性曲线。当高频时曲线如何变化？ 23.定性阐述MOSFET的基本工作原理。
24.衬底加偏置电压会对器件工作造成怎样的影响？
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25.什么是MOSFET的亚阈特性？对电路工作有何影响？ 26.为什么通常情况下反型层中载流子的迁移率不是常数？ 27.什么是速度饱和现象？它对MOSFET的I-V特性有何影响？ 28.什么是MOSFET的恒定电场(CE)缩小规则？它的应用限制是什么？
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