核磁共振屏蔽室设计性能指标说明

核磁共振屏蔽室设计性能指标说明

核磁共振屏蔽室设计性能指标说明

性能指标：

屏蔽效能：10MHz~100MHz≥100dB 测试方法按国标GB12190-90 绝缘阻抗：＞1KΩ~10KΩ

接地电阻：＜4Ω

湿度：≤80%

压：86~106Kpa

照度：100-150LX

应用领域：

MRI型屏蔽室适用于永磁和超导核磁共振设备的射频屏蔽、核磁共振扫描成像仪(MRI)， 防止外界电磁场干扰MRI正常工作以及和MRI产生的磁场泄漏至外场干扰其它设备正常工作的场所。根据用户需要，可设计磁场屏蔽和射频屏蔽双重功能的屏蔽室。

核磁共振屏蔽室设计遵循原则：

1.被屏蔽物与屏蔽体内壁应留有一定间隙，防止磁短路现象发生；

2.应使屏蔽体的接缝与孔洞的长边平行于磁场分布的方向，圆孔的排列方向要使磁路增加量最小，目的是尽可能不阻断磁通的通过；从磁屏蔽的机理而言，屏蔽体不需接地，但为了防止电场感应，一般还是要接地。

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