模拟电子技术基础第三版课后习题答案(19)

模拟电子技术基础第三版

R Re∥

rbe Rs∥Rbrbe Rs

20

1 1

fL

1

80Hz

2πRCe

5.10（1）C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL），C1 : C2＝5 : 1。

（2）

C1 C2

Rs Ri

12.5μ F 2.5μ F

Rc RL

1

6.4Hz2π

fL 1.12fL1 10HzfL1 fL2

5.11 Ausm减小，因为在同样幅值的Ui作用下，Ib将减小，Ic随之减小，o必

然减小。

fL减小，因为少了一个影响低频特性的电容。

'

fH减小，因为Cπ会因电压放大倍数数值的减小而减小。

R Re∥

5.12

rbe Rs∥Rbrbe Rs

20

1 1

Ce

5.13 （1）

1

133μF

2πRfL

fL

（2）

11

5.3Hz

2π(Rs Ri)2π(Rs rbe)

rb'e rbe rb'b 0.9k fH

gm

11

316kHz''

2π[rb'e∥(rb'b Rb∥Rs)]Cπ2π[rb'e∥(rb'b Rs)]CπIEQUT

77mA/V

Ausm

rrb'eRi''

b'e ( gmRL) ( gmRL) 76

Rs RirbeRs rbe

20lgAusm 37.6dB

图略。

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