优化VDMOSFET体二极管的方法与意义(2)

关断，源向电路里面传输能量； C nrl S E电当 ot o MO F T关断时，驱动栅

四、优化 VD SF T体二极管的意义 MO E

信号使 S c rnu S i开启。ye rnuMO F T起续流的作 n y hoo sMO Fg T Sn h o s S E o在速度更高、压更低、电电流密度更大的发展趋势下。们需要更人用。但是 . C nrlMO Fg在 ot S i o T和 Sn h nu S E yc r osMO F T关断和导通的高速、 o更高效率的功率器件。虽然 VD S E M0 F T在电流变换器里面的使时间点有一个“区”间。个时间段是为了防止两个 MO F T同时用提高了功率的转换效率，但是由于 VD S E死时这 SE MO F T体二极管导通使

导通短路。电路里面电流还是连续的，时就由 S nhoosMO F T V这 yc rnu S E DMO S的器件特性大打折扣。因而在整流电路中，善 VD S E 改 M0 F T的寄生二极管导通续流。 的反向恢复性能，降低损耗

,提高电路的工作效率，具有重要的意义。针二极管导通不仅正向压降大而且还引入了反向恢复的问题。众所对这一问题，多机构在进行研究。在已有器件的基础上不断的进行很周知，极管是少子器件，的反向恢复性能差。这就使 V MO F T优化和改进，而大幅提高产品的性价比。如：二它 D SE 从例国外 F i hl导体 ar i c d半整流特性大打折扣。 公司、 nSm半导体公司、内的北京大学微电子 ( O e i国下转第 1 7页 ) 3

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