计算机在材料科学中的应用-用Materials Studio计算简单材料的能(2)

四、实验结果及分析（包括结果描述、实验现象分析、影响因素讨论、综合分析和结论等） (1）结果描述 Si为间接带隙半导体，理论计算禁带宽度为0.793eV，因此为半导体。 （2）实验过程中出现的问题 在绘制能带图中的各垂直直线时，无法与用Materials Studio得到的能带示意图相对应，后通过改变下坐标的增量数值才达到相适应。

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