AlGaNGaN+高电子迁移率晶体管解析模型(2)

4

EPH

电子

其中

学报

EPPN年

其中!摩尔数!.,-,&’)*&+中的$,/"为电子电荷!#是$%(%,是外加的栅源电压!为二维电子气厚度!是.0!2235674,1#348

:&’)*&+(’(+;<=>的阈值电压与极化电8处的沟道势9$%荷密度有关!其关系式如下?

E

,,

2-B2*02**2E3@A7#3#3C#34,

E12#312#3

式中的B为肖特基势垒高度!是两种半导体的导带底227#30C#3在交界面处的突变!2&’)*&+隔离层的掺杂浓度!(F#3D,为$%GHI是$%其表达!&’)*&+界面处净极化所引发的薄层电荷密度(

EEEE

-).E*f2*b3767,6d)fCbCb

EEEE

*E2*423.E2*b3)-E77656@A7,6cfCb4#3fCbeCEEEEE

)-f2*432*b3*E*423256@A756@A76,T4bC#3Cc4通过计算上式即可获得4并求出[9,6O@,6O@

VWV小信号交流参数模型

小信号交流参数对于评价$%’(+:’(+;<=>器件微波性能极为重要9跨导5#作为优化场效应晶体管高频性能最重要的小信号参数之一!实际上它就是器件的增益9按照其定义!在保持漏电压4为常数的条件下对[关于4求偏导!即,6,656

-#25#3

2#3g[,6

g456

4-常数

,6

式如下?

J3.K3*KJ2J-JKC2&’)*&+LK2&’)*&+LK2$%$%’(+3((F#3K2M3

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