LED芯片制作

供参考

MOCVD实物图

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Hall measurement

供参考

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材料所的外延片

(002): 225arcsec (102) : 256 arcsec

强 度 计 数 (002) (102)-720 -360

ω (arcsec)

0

360

720

位错密度：8×107/cm2。

通过对GaN的生长模式、光、电、结晶性能、缺陷和位错进行 分析，获得位错密度低于1×108/cm2的未掺杂GaN材料。

供参考

强 度 A 计 数)BC 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0

1.0μ m

1.0μ m

1.0μ m

A

B

C

2θ (degree)

供参考

图形衬底生长GaN

衬底截面

生长GaN截面

GaN表面

采用图形衬底，进一步提高了GaN质量。

供参考

在Si衬底上生长出了表面无裂纹的GaN材料。

x100

供参考

LED外延片产品

AlGaInP红光LED外延片

GaN基蓝光LED外延片

LED外延片电致发光

供参考

Room temperature properties of semiconductorssymbolCrystal structure Lattice constant a0 c0

AlNWurtzite 3.112 4.982

GaNWurtzite 3.191 5.185

InNWurtzite 3.545 5.703

Bandgap energyIntrinsic carrier concentration Effective DOS at CB edge Effective DOS at VB edge

Egni Nc Nv

6.289.4x10-34 6.2x1018 4.9x1020

3.4251.9x10-10 2.3x1018 1.8x1019

0.77920 9.0x1017 5.31019

Electron mobilityHole mobility Electron diffusion constant Hole diffusion constant

μnμp Dn Dp

30014 7 0.3

150030 39 0.75

320080 -

Electron affinityMinority carrier lifetime Electron effective mass Heavy effective mass

me* mh*

1.90.4me 3.53me

4.110-8 0.2me 0.80me

0.11me 1.63me

Relative dielectric constantRefractive index near Eg Absoption coefficient near Eg

εrn α

8.52.15 3x105

8.92.5 105

15.32.9 6x105

供参考

LED芯片主要工序

清洗 前 段 图案 Mesa台面 电极制作 合金 钝化

后 段

磨片

抛光

划片

裂片

扩片

测试

激光切割痕迹

分类

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