相同光强条件下,单晶硅和多晶硅的电流密度与电压基本都呈线性变化,但是单晶硅单电池的最大输出功率大于多晶硅,单晶硅的短路电流95.6mA大于多晶硅短路电流88mA
单晶硅开路电压0.556V大于多晶硅开路电压0.553V。
单晶硅的结构更均匀,光子在材料内部可以运动较长距离,而多晶硅材料内部有晶界甚至缺陷光子会与这些部位作用造成光电转换效率降低。
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