第一范文网 - 专业文章范例文档资料分享平台

STM8S105数据手册(9)

来源:用户分享 时间:2021-06-01 本文由向日葵少女 分享 下载这篇文档 手机版
说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全,需要完整文档或者需要复制内容,请下载word后使用。下载word有问题请添加微信号:xxxxxx或QQ:xxxxxx 处理(尽可能给您提供完整文档),感谢您的支持与谅解。

STM8S105数据手册

4.3 中断控制器

● ● ● ●

带有3级软件优先级设定的嵌套中断 带有硬件优先级的32个中断向量

包括TLI中断在内的,最多27个外部中断分布在6个中断向量上 陷阱(Trap)和复位中断

4.4 Flash程序存储器和数据EEPROM存储器

● ● ● ●

最多可达32K字节的单电压闪存程序存储器 最多可达1K字节的真正的数据EEPROM

写的同时读:向EERPOM中写数据同时可以执行程序存储器的程序 用户选项字节区

写保护(WP)

为了避免由于软件故障导致的对闪存程序存储器和数据EERPOM的意外擦写,芯片提供了写保护功能。

写保护分为两个等级。第一级写保护是MASS(Memory Access Security System,存储器操作安全保障系统)。MASS始终有效并保护主要的闪存程序存储器、数据EEPROM和选项设置字节。 如果需要执行IAP(In-Application Programming,在线编程),可以向控制寄存器中写入MASS关键字序列去掉写保护,然后应用程序就可以向数据EEPROM写入数据,或者修改主程序存储器或者设复用项设置字节。

搜索“diyifanwen.net”或“第一范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读,第一范文网,提供最新教学研究STM8S105数据手册(9)全文阅读和word下载服务。

STM8S105数据手册(9).doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印
本文链接:https://www.diyifanwen.net/wenku/1189971.html(转载请注明文章来源)
热门推荐
Copyright © 2018-2022 第一范文网 版权所有 免责声明 | 联系我们
声明 :本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。
客服QQ:xxxxxx 邮箱:xxxxxx@qq.com
渝ICP备2023013149号
Top